近日，國內(nèi)外又新增2個碳化硅項目動態(tài)：

揚杰科技：SiC車規(guī)級模塊項目總投資10億，已正式開工；

• EYEQ Lab：8英寸SiC晶圓廠今年9月投產(chǎn)，年產(chǎn)能為14.4萬片。

揚杰科技

5月10日，揚杰科技在官微宣布其SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項目正式開工，中共揚州市委副書記及秘書長焦慶標(biāo)、揚杰科技董事長梁勤和總裁陳潤生等領(lǐng)導(dǎo)出席開工儀式。

據(jù)悉，本次開工項目計劃總投資10億元，占地62畝，規(guī)劃建筑面積約11.2萬平米。項目聚焦車規(guī)級框架式、塑封式IGBT模塊，SiC MOSFET模塊等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，對標(biāo)國際標(biāo)桿，產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)直追國際領(lǐng)先水平，可實現(xiàn)進(jìn)口替代。項目全面達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計可實現(xiàn)年開票銷售10億元，稅收3000萬元。值得注意的是，揚杰科技在2024年年報中透露，他們計劃于 2025 年 Q4 開展全國產(chǎn)主驅(qū)碳化硅模塊的工藝、可靠性驗證。此外，揚杰科技投資的 SiC 芯片工廠在報告期內(nèi)完成廠房裝修、設(shè)備搬入和產(chǎn)品通線，采用 IDM 技術(shù)實現(xiàn)了650V/1200V 的 SiC SBD 產(chǎn)品從第二代升級到第四代， 650V/1200V 的 SiC MOS 產(chǎn)品從第二代升級到第三代，其中1200V SiC MOS 平臺的比導(dǎo)通電阻（RSP）已做到 3.33?mΩ·cm2以下。

EYEQ Lab

5月12日，EYEQ Lab在官網(wǎng)透露，他們在釜山機張郡建設(shè)的韓國首家 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體制造工廠將于今年9月竣工投產(chǎn)。

與此同時，他們宣布開發(fā)出采用溝槽技術(shù)的8英寸SiC功率半導(dǎo)體器件，在減小芯片面積的同時，電氣穩(wěn)定性和耐用性顯著提高。這也是韓國首次采用自主設(shè)計和溝道技術(shù)成功開發(fā)的器件，將為今年9月竣工的機張郡工廠推進(jìn)功率半導(dǎo)體的國產(chǎn)化奠定基礎(chǔ)。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，EYEQ Lab的8英寸工廠舉行了奠基儀式，項目初始投資約1000億韓元（約5.44億人民幣），SiC晶圓產(chǎn)能為14.4萬片/年，投產(chǎn)時間預(yù)計為2025年9月。EYEQ Lab成立于 2018 年 5 月，是一家功率半導(dǎo)體無晶圓廠公司，通過建設(shè)8吋SiC工廠，意味著該無晶圓廠公司將成為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的綜合性半導(dǎo)體公司。