4月15日至17日，慕尼黑上海電子展盛大舉行。本屆展會規(guī)?？涨?，吸引了來自全球的1800家展商參展。

在本屆展會中，碳化硅和氮化鎵技術成為亮點，多家廠商集中展示了其在高效能、新能源領域的突破性產品與技術，包括SiC功率模塊、GaN快充芯片以及相關應用解決方案。這些技術憑借其高效率、低損耗的特性，正在推動電動汽車、工業(yè)電源等行業(yè)的快速發(fā)展。

在接下來的報道中，我們將深入聚焦第三代半導體領域的領軍企業(yè)，逐一揭曉其帶來的前沿技術和創(chuàng)新產品：

意法半導體

本屆展會，意法半導體為觀眾呈現汽車、工業(yè)、關鍵技術賦能創(chuàng)新應用等三大板塊的重量級產品和智能解決方案。

聚焦碳化硅應用，意法半導體此次帶來高功率冷卻系統電機控制方案，具有多種電機控制功能，例如驅動壓縮機、風扇和泵，在人工智能數據中心、VRF HVAC和BESS中至關重要。

其中，意法半導體的1200V功率器件和STGAP3S隔離柵極驅動器提高了能源效率和可靠性。采用意法半導體的SiC MOSFET和SiC二極管，可以實現AI數據中心冷卻所需的最高水平的魯棒性、功率密度和能源效率。

華潤微電子

此次，華潤微電子帶來了1200V 450A/600A的半橋DCM、全橋HPD共四款主驅模塊等最新產品，充分凸顯其技術優(yōu)勢。

據了解，華潤微電子此次亮相的主驅模塊基于成熟量產的第二代車規(guī)SiC MOS平臺，具備SiC器件的低導通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統效率等優(yōu)異性能，在汽車主驅系統應用中展現出了強大的競爭力。從產品性能來看，其性能對標國際主流產品，采用6管/8管并聯，通過對Vth的嚴格分檔提高芯片一致性。此外還采用自主設計的Si3N4?AMB、銀燒結、DTS工藝，均流特性好，寄生電感小，且通過采用單面水冷+模封工藝，最高工作結溫175℃。

飛锃半導體

飛锃半導體精心準備了一系列創(chuàng)新成果參展，其中，涵蓋應用于商用車、光伏以及電源領域的 Gen3 系列高壓產品，包括 2000V、1700V、1500V 等不同規(guī)格，可充分滿足更高母線電壓的應用需求。

Gen3B 系列 1200V & 750V SiC MOSFET 目前已在光伏、充電樁、OBC 等領域實現批量出貨。此外，飛锃半導體推出了 1200V 大電流 SiC 二極管，其 single die 產品能夠精準滿足客戶對高浪涌電流的特殊需求。聚焦于汽車主驅應用領域，鑒于該領域對低寄生電感和高功率密度的嚴苛要求，飛锃半導體展出1200V/2mΩ SiC MOSFET DCM 模塊以及 1200V/7mΩ SiC MOSFET TPAK 產品。經對比測試，這兩款產品在可靠性和一致性方面，可與歐美品牌產品相媲美。OBC以及DCDC應用方面，飛锃半導體針對頂部散熱的需求，展出了全新的X2PAK頂部散熱，和SMPD半橋封裝，在客戶端驗證時，性能卓越，參數偏移量小。X2PAK已有750V/25mohm和1200V/70mohm的產品，750V/40mohm和1200V/30mohm產品正在驗證中。

瞻芯電子

瞻芯電子面向汽車電子、“光儲充”、醫(yī)療和工業(yè)電源應用集中展示碳化硅(SiC)功率器件、驅動和控制芯片產品系列，提供一站式芯片解決方案。

SiC MOSFET方面，繼2024年重磅推出第三代1200V SiC MOSFET技術平臺后，瞻芯電子持續(xù)拓展電壓平臺，覆蓋了650V, 750V, 1200V, 1700V, 2000V, 3300V，并依據市場需求，推出一批新規(guī)格產品。

此外，瞻芯電子推出了不少模塊產品：1200V SiC 半橋1B封裝模塊、2000V SiC 4相升壓模塊等。2024年，瞻芯電子還推出了采用SMPD和Transfer-mold封裝的SiC模塊產品，可顯著提升車載電源、車載空壓機的功率密度，已有新能源汽車Tier1客戶導入應用。

瑤芯微電子

作為國內領先的功率半導體、傳感器和數?；旌闲盘栨淚C產品供應商，瑤芯微電子帶來了最新一代的研發(fā)成果，覆蓋SiC MOS、低壓SGT MOS、高壓SJ MOS、IGBT、音頻MEMS及信號鏈IC等系列產品。

其中，最新一代650V G5分立式 SiC MOSFET涵蓋 20mΩ/33mΩ 等多款產品，無論是工業(yè)級還是車規(guī)級要求，都能完美滿足。相比上一代 650V G4，G5(Ron,sp) 降低了 38%。同時，對寄生電容CGD等參數進行了優(yōu)化，令該產品廣泛應用于車載OBC、通信電源、UPS及高頻DC-DC等領域。此外，瑤芯微電子1200V G5 SiC MOSFET，采用更為先進的工藝平臺，在G4.5的基礎上再次迭代，Rsp進一步優(yōu)化，降低9%，進一步減小導通損耗；同時米勒電容降低50%，大幅提升抗干擾能力，綜合損耗行業(yè)領先。目前已成為新能源汽車、直流充電樁、光伏儲能等領域的核心器件。

昕感科技

昕感科技攜旗下SiC器件、功率模塊、電源模組等產品與技術亮相慕尼黑上海電子展。

昕感科技聚焦于第三代半導體SiC功率器件和功率模塊的技術突破創(chuàng)新與產品研發(fā)生產。目前，昕感科技產品已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數十款SiC器件和模塊產品量產，部分產品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。

其中，1200V SiC MOSFET產品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ等導通電阻規(guī)格，模塊產品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。截至目前，昕感科技SiC MOSFET累計出貨客戶百余家，產品廣泛應用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)控制等領域。

瑞能半導體

瑞能半導體展示了從650V-2200V全系列的全國產SiC芯片、分立器件和SiC功率模塊產品。包括面向汽車應用的車規(guī)級750V、1200V、1700V SiC產品，以及面向AI算力、工業(yè)、光伏儲能、EV充電、電網等應用的650V-2200V各種阻抗和電流規(guī)格的SiC MOSFET、SiC SBD。

此外，SiC模塊產品也是本次出展的一大亮點，包括WeenPack-B1/B2系列及WeenPack-34mm/62mm的灌封型模塊產品、以及面向車載應用的內絕緣頂部散熱SMD塑封模塊產品WeenPack-TSPM。全方位展現瑞能SiC產品的強大產品陣容和研發(fā)實力。值得關注的是，瑞能半導體對多個領域的市場需求，設計投放了多種新產品，包括：TSPAK頂部散熱產品、瑞能WeenPack系列功率模塊產品、1700V/2200V高壓產品系列、750V/1200V/1700V車規(guī)產品系列等。其中，車規(guī)級產品基于瑞能成熟可靠的Gen-2 SiC MOS及 SiC SBD產品平臺，依托瑞能源自飛利浦和恩智浦的全球領先的車規(guī)產品體系，經過充分的AEC-Q101車規(guī)可靠性認證，結合車載應用如OBC、DC-DC、E-comp、Main-driver 等多種且廣泛的應用要求，推出了包括頂部散熱封裝及功率模塊在內的多種SiC產品，并已完成代表汽車體系最高標準的IATF16949質量體系認證及VDA6.3過程審核。

華太電子

此次展會，華太電子展示了射頻、模擬、功率及MCU等核心產品系列，覆蓋通信基站、新能源、工業(yè)控制及智能座艙等應用領域。 其中，高性能超級結IGBT與SiC產品，可助力光伏逆變器，儲能變流器、車載充電機、充電樁等應用。

蘇州華太電子技術股份有限公司是一家擁有半導體產業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術、多領域布局協同發(fā)展的平臺型半導體公司，主要從事射頻系列產品、功率系列產品、專用模擬芯片、工控SoC芯片、高端散熱材料的研發(fā)、生產與銷售，并提供大功率封測業(yè)務，產品廣泛應用于通信基站、光伏發(fā)電與儲能、半導體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場景。

至信微電子

在本次展會上，至信微重點展示了豐富多樣的第三代半導體相關產品。在晶圓產品領域，至信微展出了1200V 7mΩ、750V 5mΩ兩款超大電流晶圓。其中，1200V 7mΩ晶圓單粒芯片可承載266A的超大電流，750V 5mΩ晶圓單粒芯片可承載355A的超大電流。目前，這兩款晶圓已實現量產，成功應用于航空航天、軍工、工業(yè)等高端領域。

此外，至信微的產品線布局完備，本次展會攜帶了從650V到3300V的全系列SiC MOS、二極管、模塊產品，可全面覆蓋消費級、工業(yè)級、光儲充、電網、軌道交通以及車規(guī)級應用。

在模塊產品方面，至信微推出了基于1200V 7mΩ晶圓的超大電流系列半橋模塊產品。與傳統方案相比，該模塊大幅減少了并聯芯片的使用數量，優(yōu)化了內部空間利用率，顯著提升了功率密度，為終端客戶提供了更高效、可靠的模塊化解決方案。

在芯片產品方面，至信微推出了超高壓碳化硅MOS系列產品，包括2200V、3300V系列碳化硅MOS產品，最低內阻可達19mΩ。

至信微具備業(yè)界領先的工藝設計能力。憑借超高的良率以及領先的RSP（即超高的功率密度），至信微能夠為終端客戶提供具有競爭力的產品。

凌銳半導體

本次展會上，凌銳半導體重點展示了從650V~3300V全系列全國產SiC芯片、器件和模塊。包括電源、工業(yè)、光儲充、電網、軌道交通用的650V、750V、1200V、1700V、2000V等多種電壓和電流規(guī)格以及封裝形式的SiC MOS器件；模塊方面有全系列的灌封和塑封型產品。

據透露，凌銳半導體的產品具備四大亮點：一是平面產品Rsp只有2.6左右，率先實現了Rsp性能領先的器件的大規(guī)模量產；二是產品性能優(yōu)異；三是生產和品質管控嚴格；四是采用全國產化的供應鏈，包括襯底、外延、晶圓制造和封測都實現了國產化。此外，凌銳半導體的產品采用車規(guī)標準AEC-Q101做全面的可靠性考核，還通過了HV-H3TRB、2000小時HTRB和HTGB等多項加強性考核測試。器件在這些嚴苛測試下的穩(wěn)定性，能改有效保障客戶系統在長期苛刻現場環(huán)境下的穩(wěn)定使用。

中瑞宏芯

聚焦碳化硅器件應用，中瑞宏芯帶來了2000V SiC MOSFET、第二代1200V SiC MOSFET、Easy1B和Easy2B半橋模塊等產品。

其中，2000V 40mΩ SiC MOSFET專為1500V光伏系統設計，采用TO247-4封裝，具有開爾文源極，驅動電壓15V~18V。導通電阻的溫度系數只有1.5，優(yōu)于行業(yè)水平，在高溫下仍保持低導通損耗。芯片的米勒電容低，高dv/dt下引起的柵極尖峰較低，使得高壓應用領域更安全。

第二代1200V SiC MOSFET導通電阻溫度系數1.6，優(yōu)于行業(yè)水平。采用特定的元胞設計、低比導通電阻，低開關損耗，適合高開關頻率的應用。

Easy1B和Easy2B半橋模塊功率密度高，內部集成NTC，使用高性能的Si3N4AMB陶瓷基板，熱阻低、可靠性高。采用第二代SiC MOSFET芯片，擁有低導通損耗和開關損耗。模塊雜感低，抗誤導通，對用戶的驅動設計和主回路設計更加友好。

昆芯科技

本次展會，昆芯科技展示了從1200V-3300V全系列的全國產SiC芯片、器件和模塊。芯片產品包括1200V電驅用車規(guī)級芯片以及工業(yè)、光儲充、電網、軌道交通用1200V-3300V各種電流規(guī)格的SiC芯片。

此外，器件方面有通過車規(guī)認證的1200V多種電流規(guī)格以及封裝形式的SiC器件，模塊方面有全系列的灌封型、塑封型產品，車規(guī)級SiC塑封模塊出流能力最高可達600-800A、雜散電感可低至5nH。

值得關注的是，昆芯科技最新一代碳化硅MOS提供-2V/+16V的驅動電壓，更加符合客戶驅動需求，簡便使用。 采用特殊元胞設計，高溫損耗低于常溫損耗，極大的降低了系統的發(fā)熱，提升了效能。此外，昆芯科技對多個領域的產品進行了升級，具體包括碳化硅Easy2B產品、碳化硅HPD產品、1200V ED3?產品、2000V ED3和Easy3B產品、3300V TO247產品等，能更好的滿足電動汽車、光儲充、大功率UPS等領域的需求。

真茂佳半導體

展會上，真茂佳半導體攜帶旗下碳化硅系列產品等參展，吸引了眾人的目光。碳化硅方面，真茂佳展示了650V-3300V全系列的SiC車規(guī)級以及工業(yè)、光儲充、電網、軌道交通應用各電流規(guī)格的芯片、器件和模塊。

其中，重點產品有應用于儲能領域3300V 640m?的TO263-7單管，應用于電驅的1200V 20m?HSOP8模塊、應用于OBC等高頻領域的1200V 40m?的TO247-4單管和1200V 60m?的T2PAK單管、應用于光伏充電樁的1200V 10m? easy 1b半橋模塊和1200V 30m? easy 1b全橋模塊 。值得注意的是，3300V 640m?TO263-7單管屬于真茂佳SHVSiC系列，適用于儲能等超高壓應用，耐壓能力強，BV>4000V,高安全余量。RDS(on) x Qg??優(yōu)值小，性能更好。1200V 20m?HSOP8模塊，屬于真茂佳RobustSiC系列，適用于電機應用，GOX可靠性高，短路時間Tsc>3us,抗雪崩能力強，可通過超越AECQ標準的2000H HTRB 、HTGB驗證。

矽迪半導體

針對150KW PCS和工商業(yè)儲能應用，矽迪半導體在本次展會上重點展示了全SiC半橋三相四橋臂技術，可以輕松實現100%負載不平衡。采用窄邊出線，輕易滿足整機510mm寬度要求，相比兩個6mΩ碳化硅半橋E2模塊，單個EC模塊可以輸出更大的電流，輕松實現擴容，驅動容易實現等長布線，以提升SiC應用的可靠性，內部對稱結構實現了較低的雜散電感和較低的熱耦合分布，帶銅底板封裝技術帶來的較大熱熔分布，可以實現更大的熱應力。

另一方面，在430KW PCS應用上，矽迪半導體采用全碳化硅多路對稱NPC技術，用三相三模塊實現430KW輸出。相比兩個模塊并聯，輕松實現高頻器件的等長布線，器件級效率可以提升至99.1%。帶銅底板封裝技術帶來的較大熱熔分布，可以實現更大的熱應力。矽迪半導體（蘇州）有限公司一直致力于功率模塊應用解決方案的研發(fā)與銷售，擁有自主知識產權的功率模塊應用、仿真、設計、數據管理和項目流管理等于一體的EDA工具。團隊具備全面的研發(fā)能力，包括提供終端應用方案，定制功率模塊， 定義芯片研發(fā)等，始終致力于三電平和多電平市場，為客戶提供應用性強、能效高、響應迅速的集成化產品解決方案，從而與客戶建立穩(wěn)固持久的合作關系。

MDD辰達半導體

MDD辰達半導體攜帶五大產品矩陣亮相上海慕尼黑電子展，包括整流器件、MOSFET、SiC碳化硅等核心產品線，并首發(fā)中低壓大電流功率MOS管、TO系列快恢復二極管等新品。

MDD辰達半導體深耕分立器件領域17年，擁有覆蓋MOSFET/二極管/SiC的全系列產品矩陣，其技術已應用于新能源汽車、小米充氣寶等終端產品。公司通過IATF 16949認證，產品服務覆蓋全球40多國，在工業(yè)控制、消費電子、汽車電子等領域提供高可靠性半導體解決方案。

平創(chuàng)半導體研究院

本次展會，重慶平創(chuàng)半導體研究院有限責任公司推出了頂部散熱封裝SiC MOS器件、雙面散熱MOS器件、低雜感工業(yè)級SiC MOS模塊及驅動方案、有壓燒結納米銅膏、功率封裝全銅互聯解決方案、大面積系統銅燒結解決方案等多種新型功率半導體產品及工藝方案。

平創(chuàng)半導體研究院堅持從底層材料-芯片-封裝-驅動解決方案全鏈條進行技術創(chuàng)新，從而為客戶提供高性能、高可靠性、高性價比功率半導體解決方案。材料方面，其推出了行業(yè)首款量產型有壓燒結銅膏，并成功攻克了AMB底板/塑封模塊到散熱器的大面積銅燒結工藝，推出了車規(guī)級大面積燒結功率模組。并且在功率模塊中全面使用銅燒結技術，推出了全銅燒結SiC?功率模塊。

分立器件方面，他們推出了頂部散熱TOLT/QDPAK及雙面散熱TOLL封裝等新型封裝器件，其中雙面散熱TOLL封裝相比傳統單面散熱封裝可以提高30%的出流能力。在功率模塊方面，他們推出了低雜感工業(yè)級SiC MOS功率模塊，在保證P2P替換的條件下，對傳統34mm、62mm封裝內部結構進行疊層優(yōu)化，可以保證模塊的寄生雜感<15nH。

泰克科技

此次展會，泰克科技攜帶豐富的測試新方案與兩款重磅新品亮相。這兩款新品分別為TICP系列IsoVu?隔離電流探頭、EA PSB-20000 Triple三通道雙向直流電源，前者擁有高達1GHz帶寬、±1kV共模電壓范圍等技術亮點，后者每通道高達30kW輸出能力、具備超高能效（高達96.5%）等優(yōu)勢。此外，泰克科技還展示了半導體（模擬 / 功率）測試方案，其中包括動態(tài)/靜態(tài)功率器件測試系統（DPT-1000A/SPT-1000A），覆蓋GaN、SiC三代半，提供全參數驗證能力。

先進連接

此次先進鏈接攜銀燒結、銅燒結、嵌入式PCB方案亮相展會。他們重點展示以下幾大亮點：創(chuàng)新焊接材料、先進封裝技術、一站式工程應用實驗中心。

先進連接是一家集銀燒結材料、銀燒結設備及應用工藝的研發(fā)、生產、銷售、咨詢及技術服務于一體的國家高新技術企業(yè)，致力于為客戶提供一站式解決方案。其核心產品自主研發(fā)，生產產品以銀燒結設備、材料為主。銀燒結設備已通過CE認證，所生產銀燒結產品已通過AQG324標準測試。