市場研究機構(gòu)Counterpoint最新報告顯示，2025年第一季度SK海力士以36%的市場份額首次超越三星電子（34%），成為全球DRAM市場新霸主。美光以25%的份額位居第三。這一歷史性突破主要得益于SK海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的絕對優(yōu)勢，其HBM市場份額高達70%。

圖 | 2025年第一季度SK海力士以36%的市場份額首次超越三星電子，成為全球DRAM市場新霸主；來源：Counterpoint

SK海力士的成功源于其對HBM技術(shù)的長期投入。自2013年率先研發(fā)HBM芯片以來，該公司持續(xù)加碼這一當時被視為"小眾"的技術(shù)。如今，其最新12層HBM3E芯片獨家供貨英偉達，推動美國子公司銷售額同比激增2.6倍至230億美元。HBM產(chǎn)品已占其DRAM總銷售額的40%以上。

在制程工藝方面，SK海力士1c DRAM良率已提升至80%，領(lǐng)先于仍在優(yōu)化良率的三星。分析師指出，三星約80%-90%收入依賴傳統(tǒng)DRAM，而中國廠商的替代品正擠壓這一市場。SK海力士計劃2025年HBM銷量翻番，并預(yù)計2026年推出更先進的16層HBM4芯片。

Counterpoint預(yù)計，強勁的AI需求將使SK海力士在第二季度保持領(lǐng)先。盡管美國關(guān)稅政策帶來不確定性，但HBM主要用于全球流通的AI服務(wù)器，短期受影響有限。不過長期來看，貿(mào)易緊張局勢可能抑制市場擴張。

隨著DRAM技術(shù)向10納米以下節(jié)點邁進，三星、SK海力士和美光在EUV光刻和HKMG技術(shù)上的競爭愈發(fā)激烈。與此同時，中國廠商的崛起正在重塑行業(yè)格局，存儲芯片市場的技術(shù)競賽已進入新階段。