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    • 01|多個集成電路項(xiàng)目落戶光谷
    • 02|南京沖向新賽道
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武漢、南京“芯”動作

04/02 09:05
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近年,在政策利好芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大環(huán)境下,我國各省市正在不遺余力加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,并且已形成多點(diǎn)開花、優(yōu)勢互補(bǔ)的集群化生態(tài),是推動半導(dǎo)體發(fā)展的重要力量。武漢、南京是其中的代表。近日,這兩個城市芯片產(chǎn)業(yè)傳出新動態(tài):武漢光谷迎來多個集成電路項(xiàng)目落地,南京則將布局新賽道。

01多個集成電路項(xiàng)目落戶光谷

近日,武漢集成電路產(chǎn)業(yè)招商對接會在光谷舉行。武漢市集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心、聚芯微集成電路設(shè)計項(xiàng)目、微崇半導(dǎo)體集成電路量測設(shè)備項(xiàng)目、集成電路精密貼裝設(shè)備項(xiàng)目等10個重點(diǎn)項(xiàng)目簽約落戶光谷,覆蓋“芯片設(shè)計-晶圓制造-封裝測試-設(shè)備材料”全產(chǎn)業(yè)鏈條。

其中,武漢市集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心由武漢市、東湖高新區(qū)與中國信科集團(tuán)聯(lián)合共建,預(yù)計今年二季度開業(yè),將向武漢市乃至全國半導(dǎo)體企業(yè)提供EDA/IP資源共享、設(shè)計、流片、封裝等服務(wù),帶動本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè),打造全國領(lǐng)先的半導(dǎo)體服務(wù)平臺。

資料顯示,武漢光谷(東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū))作為我國國重要的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地,其集成電路產(chǎn)業(yè)經(jīng)過十余年發(fā)展已形成涵蓋設(shè)計、制造、封裝測試、設(shè)備及材料的全產(chǎn)業(yè)鏈格局。

當(dāng)前光谷已構(gòu)建了存儲集成電路、化合物集成電路及三維集成為主導(dǎo),先進(jìn)封裝和硅光集成電路為特色的“3+2”集成電路產(chǎn)業(yè)體系,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模在2024年突破800億元。

今年2月,媒體報道武漢市東湖高新區(qū)黨工委(擴(kuò)大)會議暨2025年度工作會議舉行。武漢光谷將依托區(qū)域內(nèi)龍頭企業(yè)和創(chuàng)新平臺,啟動建設(shè)四大產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū),涵蓋化合物半導(dǎo)體、存儲器、新型顯示和智能終端、生命健康等領(lǐng)域。

02南京沖向新賽道

作為長三角集成電路產(chǎn)業(yè)帶的核心城市之一,南京依托科教資源、政策支持及區(qū)位優(yōu)勢,已形成涵蓋設(shè)計、制造、封裝測試、設(shè)備及材料的完整產(chǎn)業(yè)鏈,聚焦高端芯片設(shè)計、先進(jìn)封裝和特色工藝制造,成為全國重要的集成電路產(chǎn)業(yè)高地。

隨著AI新能源汽車、6G通信、光電子等需求爆發(fā),南京積極布局新賽道。

在近期舉辦的第四屆中國(南京)新賽道大會上,《中國新賽道體系發(fā)展報告2025》發(fā)布,報告提出2025年“年度十大潛力新賽道”,分別是生成式AI、具身智能、商業(yè)航天、生物制造、第三代半導(dǎo)體、新型儲能、低空經(jīng)濟(jì)、量子科技、腦機(jī)接口與6G。

未來網(wǎng)絡(luò)、第三代半導(dǎo)體、創(chuàng)新藥研發(fā)為南京的“賽道名片”。其中,未來網(wǎng)絡(luò),南京在全國最早布局,賽道規(guī)模超200億元,重點(diǎn)發(fā)力6G、網(wǎng)絡(luò)安全、光通信等領(lǐng)域。依托紫金山實(shí)驗(yàn)室,創(chuàng)造了6G太赫茲實(shí)時無線傳輸10余項(xiàng)“世界第一”。

第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,南京已經(jīng)將第三代半導(dǎo)體納入戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),出臺專項(xiàng)政策扶持,江北新區(qū)等區(qū)域明確將第三代半導(dǎo)體作為重點(diǎn)發(fā)展方向,打造全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

科研攻堅方面,東南大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,致力于攻克GaN垂直結(jié)構(gòu)器件關(guān)鍵技術(shù),導(dǎo)通電阻降低40%;南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院,則在SiC MOSFET溝槽柵氧化層技術(shù)有所突破。

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