據(jù)半導體業(yè)界3月11日報道，據(jù)悉，三星電子本月初已將ASML生產(chǎn)的首臺高NA?EUV設(shè)備“EXE:5000”引進華城園區(qū)。該設(shè)備價格昂貴，價值達5000億韓元（24.95億元人民幣），而且全球只有ASML公司供應(yīng)。

三星電子自去年以來一直對高NA EUV設(shè)備進行工藝應(yīng)用評估，據(jù)稱計劃將其用于2nm以下的下一代半導體工藝。

EUV曝光設(shè)備利用極紫外光在半導體晶圓上繪制納米級電路。半導體的電路線寬越窄，其功耗越低，數(shù)據(jù)處理速度越快。高NA EUV設(shè)備比現(xiàn)有的EUV設(shè)備性能進一步提高。高NA是一種通過增加透鏡和反射器的尺寸來將表示聚光能力的數(shù)值NA從0.33增加到0.55的設(shè)備。

因此，高NA EUV被視為2納米以下下一代代工工藝的必備設(shè)備。全球半導體公司也紛紛競相引入高NA EUV。據(jù)悉，英特爾已簽署購買共六臺設(shè)備的合同，其中包括2023年交付的ASML首臺高NA EUV。臺積電近期也引進了設(shè)備，加速2nm工藝的導入。

有人預期，此類設(shè)備的引入可能成為三星電子的一張“逆轉(zhuǎn)牌”。據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce統(tǒng)計，臺積電去年第四季晶圓代工市場份額為67.1%，較上年第三、四季度分別上升2.4個百分點。另一方面，三星電子在市場上陷入困境，同期股價從?9.1%?下跌?1%?至?8.1%。

隨著差距不斷擴大，有傳言稱臺積電將成為2nm市場的贏家。據(jù)悉，臺積電在去年底進行的2nm試產(chǎn)中，良率已經(jīng)達到60%。隨著三星電子也開始準備實現(xiàn)超精細電路，預計2納米以下半導體工藝的競爭將更加激烈。三星電子將完成高NA EUV設(shè)備的安裝，并開始構(gòu)建全面的生態(tài)系統(tǒng)。

三星電子晶圓代工事業(yè)本部長韓進萬在上任后首次向高管和員工發(fā)表講話時表示，“我們率先實現(xiàn)了環(huán)柵（GAA）工藝轉(zhuǎn)型，但商業(yè)化方面仍存在諸多不足”，并下令將快速提升2nm工藝產(chǎn)能作為首要任務(wù)。