最近2個(gè)月，一家上市國(guó)產(chǎn)公司的DSP文章滿(mǎn)天飛，大招放了又放，各路朋友微信小二聽(tīng)過(guò)沒(méi)有，怎么樣...

小二其實(shí)很簡(jiǎn)單，看規(guī)格和文檔質(zhì)量就好了；發(fā)現(xiàn)沒(méi)有任何資料后，小二內(nèi)心一顫，還真是敢玩啊

也許對(duì)于這家公司的高層來(lái)說(shuō)，這種營(yíng)銷(xiāo)的感覺(jué)是一魚(yú)三吃：

• • 上市公司的市值管理，畢竟每年虧這么多，不放新聞怎么割韭菜
  • 控股的公司需要下一輪融資，也是為下一次融資站臺(tái)
  • 廣而告之，獲客，也是為下一次融資鋪墊

小二在看完朋友發(fā)個(gè)我的手冊(cè)之后，內(nèi)心是：

• • 不負(fù)責(zé)任的推銷(xiāo)
  • 無(wú)風(fēng)險(xiǎn)管理意識(shí)的管理

為什么是這個(gè)感覺(jué)，小二結(jié)合DeepSeek給你分析

手冊(cè)宣稱(chēng)通過(guò)了AEC-Q100認(rèn)證，Grade 1

問(wèn)題：汽車(chē)MCU芯片，Grade 1標(biāo)準(zhǔn) ，可以選用結(jié)溫度85°C下保持10年的Flash IP嗎？

DeepSeek：

汽車(chē)MCU芯片的Grade 1標(biāo)準(zhǔn)要求芯片在-40°C到125°C的環(huán)境溫度下正常工作，且需具備高可靠性和長(zhǎng)壽命。對(duì)于Flash IP的選擇，結(jié)溫度（Tj）85°C下保持10年的要求是否適用，需考慮以下幾點(diǎn)：

Grade 1標(biāo)準(zhǔn)：Grade 1要求芯片在高溫環(huán)境下（如125°C）仍能穩(wěn)定運(yùn)行，因此Flash IP的耐久性和數(shù)據(jù)保持能力需滿(mǎn)足這一標(biāo)準(zhǔn)。

結(jié)溫度（Tj）：結(jié)溫度是芯片內(nèi)部的實(shí)際工作溫度，通常高于環(huán)境溫度。若Flash IP在Tj=85°C下能保持10年，需評(píng)估其在更高環(huán)境溫度下的表現(xiàn)是否仍能滿(mǎn)足Grade 1要求。

可靠性要求：汽車(chē)電子對(duì)可靠性要求極高，F(xiàn)lash IP需在高溫、高濕、振動(dòng)等條件下保持穩(wěn)定，且耐久性（如擦寫(xiě)次數(shù)）和數(shù)據(jù)保持能力需滿(mǎn)足汽車(chē)應(yīng)用的需求。

供應(yīng)商認(rèn)證：選擇Flash IP時(shí)，需確保供應(yīng)商通過(guò)相關(guān)汽車(chē)電子認(rèn)證（如AEC-Q100），并能在Grade 1條件下提供可靠的性能數(shù)據(jù)。

結(jié)論：僅憑Tj=85°C下保持10年的數(shù)據(jù)，無(wú)法直接判斷該Flash IP是否滿(mǎn)足Grade 1要求。需進(jìn)一步評(píng)估其在更高溫度下的性能，并結(jié)合供應(yīng)商的認(rèn)證和可靠性數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合判斷。建議與供應(yīng)商溝通，確保其產(chǎn)品符合Grade 1標(biāo)準(zhǔn)。

小二思考：

AEC-Q100 Grade對(duì)環(huán)境溫度要求是125°C環(huán)境溫度，一般結(jié)溫度至少135°C，一家AEC-Q100的數(shù)據(jù)手冊(cè)里面寫(xiě)85°C的結(jié)溫度，從哪個(gè)角度都說(shuō)不過(guò)去；

問(wèn)題：AEC-Q100 Grade 1測(cè)試對(duì)于芯片批次數(shù)目和芯片數(shù)目的總要求

DeepSeek：此處省略錯(cuò)誤的分析過(guò)程

總結(jié)

AEC-Q100 Grade 1測(cè)試要求至少3個(gè)生產(chǎn)批次，每個(gè)批次至少77顆芯片，總計(jì)至少231顆芯片。這些要求旨在確保芯片在不同生產(chǎn)批次和嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性和一致性。

小二明確指出DeepSeek的結(jié)果錯(cuò)誤，開(kāi)啟了深度思考模式和聯(lián)網(wǎng)模式

問(wèn)題：因?yàn)锳EC-Q100的實(shí)驗(yàn)有很多類(lèi)別，不同類(lèi)別的芯片需求數(shù)不一樣，所以你的一個(gè)批次只需要77顆是錯(cuò)的。你能找到更詳細(xì)的測(cè)試規(guī)范并更新結(jié)果嗎

DeepSeek也是更正了答案：

根據(jù)AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的具體測(cè)試規(guī)范，不同測(cè)試序列和測(cè)試項(xiàng)目對(duì)芯片樣本數(shù)量的要求確實(shí)存在顯著差異，并非所有測(cè)試均固定為每批次77顆。以下是基于最新搜索結(jié)果的詳細(xì)分析及更新后的結(jié)論：

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1. 批次與樣本數(shù)量的核心規(guī)則

至少3個(gè)獨(dú)立生產(chǎn)批次：所有測(cè)試樣品必須來(lái)自3個(gè)不同的生產(chǎn)批次（Lot），以確保工藝穩(wěn)定性和結(jié)果代表性。

樣本數(shù)量因測(cè)試組而異：不同測(cè)試序列（Group A-G）中的具體測(cè)試項(xiàng)目對(duì)樣本量的要求不同，部分測(cè)試需要多個(gè)批次的樣本疊加，部分測(cè)試僅需單一批次。

2. 關(guān)鍵測(cè)試組的樣本數(shù)量要求

以下列舉部分測(cè)試組的具體樣本要求（以Grade 1為例）：

測(cè)試組A（環(huán)境壓力加速測(cè)試）

A1預(yù)處理（PC）：每個(gè)批次77顆，總計(jì)231顆（3批×77）。

A2溫濕度偏壓（THB/HAST）**：每個(gè)批次77顆。

A3高壓/無(wú)偏壓測(cè)試（AC/UHST）**：每個(gè)批次77顆。

A4溫度循環(huán)（TC）：每個(gè)批次77顆。

A5功率溫度循環(huán)（PTC）：每個(gè)批次45顆，總計(jì)135顆（3批×45）。

A6高溫存儲(chǔ)壽命（HTSL）：每個(gè)批次45顆。

測(cè)試組B（使用壽命模擬測(cè)試）

省略...

測(cè)試組C（封裝組裝完整性測(cè)試）

省略...

測(cè)試組G（腔體封裝完整性測(cè)試）

省略...

3. 總樣本量的復(fù)雜性

無(wú)法統(tǒng)一計(jì)算：由于不同測(cè)試項(xiàng)目對(duì)批次和樣本量的要求差異較大，總樣本量需根據(jù)具體測(cè)試組合累加。例如：

ELFR測(cè)試（B2）：?jiǎn)闻?00顆。

VFV測(cè)試（G2）：?jiǎn)闻?5顆。

HTOL測(cè)試（B1）：3批次共231顆。

部分測(cè)試需跨批次：如序列A中的某些測(cè)試需從3個(gè)獨(dú)立批次各抽取77顆，而序列B的ELFR僅需單批次。

4. 核心原則與零失效要求

零失效（Zero Defect）：所有測(cè)試項(xiàng)目均要求樣本在測(cè)試后無(wú)任何功能或性能失效。

測(cè)試條件適配性：樣本量和測(cè)試時(shí)間需根據(jù)芯片的Grade等級(jí)（如Grade 1或Grade 2）調(diào)整。例如，Grade 1的HTOL測(cè)試需在125°C下進(jìn)行1000小時(shí)，而Grade 2可能縮短至408小時(shí)。

5. 總結(jié)與建議

1. 具體測(cè)試決定樣本量：芯片廠(chǎng)商需根據(jù)AEC-Q100的測(cè)試清單（如Group A-G的42項(xiàng)測(cè)試）逐項(xiàng)核對(duì)樣本要求，而非統(tǒng)一按每批次77顆計(jì)算。

2. 重點(diǎn)關(guān)注高樣本量測(cè)試：如ELFR（800顆）、HTOL（231顆）等，可能成為資源投入的重點(diǎn)。

3. 供應(yīng)商與實(shí)驗(yàn)室協(xié)作：建議與認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室（如賽寶實(shí)驗(yàn)室、華南檢測(cè)等）合作，針對(duì)具體芯片類(lèi)型定制測(cè)試方案。

如需完整的測(cè)試項(xiàng)目與樣本量對(duì)照表，可參考AEC-Q100 Rev-H標(biāo)準(zhǔn)文檔或聯(lián)系專(zhuān)業(yè)檢測(cè)機(jī)構(gòu)獲取詳細(xì)數(shù)據(jù)。

小二思考：

AEC-Q100 Grade 1 要求不高，也不低，但是一個(gè)初創(chuàng)公司的產(chǎn)品，需要在剛剛量產(chǎn)后通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證，基本是不可能的，因?yàn)橐粋€(gè)批次的投片生產(chǎn)周期基本也是4個(gè)月+的時(shí)間；三個(gè)批次全部投片完成，基本也需要半年時(shí)間了；

很多公司會(huì)宣傳符合AEC-Q100要求，但是敢隨意寫(xiě)通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證的，小二是長(zhǎng)見(jiàn)識(shí)了；也是歡迎這家公司能夠曬出AEC-Q100證書(shū)排疑；

小二專(zhuān)門(mén)看了下手冊(cè)里面的功耗數(shù)據(jù)，全是空白！一個(gè)宣傳過(guò)了AEC-Q100的芯片功耗數(shù)據(jù)全是空白，等同于什么呢...? 不敢想象給客戶(hù)帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)得有多高....

問(wèn)題：MCU滿(mǎn)足ISO26262 ASIL-B要求，F(xiàn)lash及SRAM是否需要做ECC

DeepSeek：

根據(jù)ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的要求，MCU芯片若需滿(mǎn)足ASIL-B功能安全等級(jí)，其Flash（閃存）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）通常需要支持ECC（糾錯(cuò)碼）機(jī)制，以應(yīng)對(duì)隨機(jī)硬件失效風(fēng)險(xiǎn)。以下是具體分析：

省略....

5. 總結(jié)與建議

ASIL-B推薦支持ECC：從實(shí)際產(chǎn)品設(shè)計(jì)和認(rèn)證案例看，支持ECC是滿(mǎn)足ASIL-B要求的典型方案，尤其是Flash和SRAM等關(guān)鍵存儲(chǔ)器。

需結(jié)合安全分析：是否采用ECC需通過(guò)危害分析與風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估（HARA）確定，確保所有潛在失效模式均被覆蓋。

供應(yīng)商選擇：建議優(yōu)先選擇已通過(guò)ASIL-B認(rèn)證且明確支持ECC的MCU產(chǎn)品，以降低開(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)。

如需進(jìn)一步驗(yàn)證，可參考ISO 26262-5:2018中關(guān)于硬件安全機(jī)制的說(shuō)明，或聯(lián)系認(rèn)證機(jī)構(gòu)（如DEKRA、TüV等）獲取詳細(xì)要求。

小二思考：

從手冊(cè)資料看，沒(méi)有Flash支持ECC的介紹，SRAM也不全支持ECC，這不是說(shuō)過(guò)不了認(rèn)證，但是Flash如此重要的存儲(chǔ)不支持ECC，確實(shí)會(huì)需要選擇時(shí)候多思考一些；

再挑一個(gè)數(shù)據(jù)吧，DSP芯片很重要的采樣單元ADC，德州儀器的C2000系列的ADC，2.5V內(nèi)部參考下，ENOB基本是11bit， 這家公司同等條件，大概在10.5bit左右，然而小二也是第一次見(jiàn)到，最低采樣電壓竟然不支持0V... 小二又一次被深深的觸動(dòng)到了....

小二基本就是我操，我操，我操的感受中看完了這家公司的手冊(cè)...特留文章；

你是要憑的軟文把C2000的硬貨和硬文章干下去嗎？

支持的點(diǎn)個(gè)贊，自媒體寫(xiě)實(shí)話(huà)，真的需要鼓勵(lì)...