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  • 正文
    • 1、消費電子復蘇動能仍待觀望
    • 2、DRAM與NAND Flash合約價雙雙下跌
    • 3、NAND Flash進入減產(chǎn)期?
    • 結(jié) 語
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存儲市場迎三大挑戰(zhàn)!

01/07 15:07
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剛剛過去的2024年,存儲市場上演了一出“冰與火之歌”:終端市場消費電子復蘇遲緩,AI應用則繼續(xù)強勢突圍。存儲產(chǎn)品因而開啟兩極化發(fā)展:消費類存儲需求平淡,高性能、企業(yè)級存儲產(chǎn)品市場反響熱鬧。

存儲原廠于2023年下半年依據(jù)市況調(diào)整產(chǎn)能,以圖改善供需關(guān)系,到2024年產(chǎn)能調(diào)整逐漸奏效,多家存儲廠商在2024年重新回到獲利模式。

不過存儲器市場合約價走勢則沒有那么“一帆風順”,整體來看,2024年上半年存儲器市場合約價保持上漲,而到了下半年由于市場需求變化,存儲器合約價遇到下行壓力,到了第四季度,DRAM出現(xiàn)漲幅收斂,NAND Flash則反轉(zhuǎn)下跌。

展望2025年,業(yè)界認為,盡管AI應用仍舊十分強勁,帶動高性能HBM、QLC SSD產(chǎn)品需求水漲船高,但消費電子市場仍未見強勁復蘇信號,存儲市場仍有可能面臨終端需求、價格、產(chǎn)能三大方面的挑戰(zhàn)。

1、消費電子復蘇動能仍待觀望

存儲器三大應用終端包括手機、筆電與服務(wù)器,其中服務(wù)器得益于AI推動,于2025年將實現(xiàn)新的成長,而手機、筆電過去一年持續(xù)疲軟,2025年市場復蘇動能仍待觀望。

2024年智能手機市場品牌廠商采取謹慎備貨策略,避免加劇庫存壓力。全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢指出,2024年第三季度,在旗艦新機推動下,智能手機生產(chǎn)總數(shù)季增7%,約達3.1億支,同比持平。從旺季產(chǎn)量的角度分析,第三季的表現(xiàn)尚未恢復疫情前水平,表明全球消費市場仍缺乏明確的復蘇動能。

展望2025年全年,業(yè)界認為智能手機出貨量有望恢復年增長,但未來市場前景仍不明朗。

筆電市場,集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,2024年全球筆記本電腦市場受高利率與地緣因素影響,需求回溫速度緩慢,預計全年出貨量為1.74億臺,年增3.9%。2025年全球筆電出貨量將增長4.9%,達到1.83億臺,商用市場有望復蘇,預期出貨量將迎來超過7%的年增長。至于消費市場,預期消費機種增長將放緩。

2、DRAM與NAND Flash合約價雙雙下跌

DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價格回升,價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,2024年第四季度DRAM整體平均價格估計上漲8%至13%,較前一季漲幅明顯收斂。

2025年第一季為傳統(tǒng)淡季,DRAM市場受智能手機等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮等影響,合約價走跌,其中一般型DRAM(Conventional DRAM)的跌幅預估將達8%至13%,若計入HBM產(chǎn)品,價格預計下跌0%至5%。

展望2025年,集邦咨詢認為DRAM合約價將呈現(xiàn)下跌,其中上半年將跌幅明顯。消費型電子產(chǎn)品需求持續(xù)弱化,也將為2025年DRAM價格走勢帶來沖擊,若廠商未能做好產(chǎn)能調(diào)控,整體產(chǎn)業(yè)庫存的去化速度將更加緩慢。

NAND Flash方面,2024年第四季度,NAND Flash產(chǎn)品整體合約價呈現(xiàn)季減3%至8%的情況。2025年第一季NAND Flash供貨商將面臨庫存持續(xù)上升,訂單需求下降等挑戰(zhàn),平均合約價恐季減10%至15%。其中,Wafer跌幅將收斂,模組產(chǎn)品部分,由于Enterprise SSD訂單穩(wěn)定,預期可緩沖合約價跌勢;Client SSD及UFS則因消費性終端產(chǎn)品需求疲軟,買家采購意愿保守,價格將持續(xù)下探。

展望未來,業(yè)界認為,考慮到2024年第四季度以及2025年第一季度市場供過于求的關(guān)系,加上消費電子市場復蘇態(tài)勢仍不明朗,閃存需求位元大幅減少,供應商相應地開始縮減資本支持、減少供給位元。供應商減產(chǎn)之下,明年下半年進入傳統(tǒng)旺季,市場需求將有所提升,NAND Flash合約價有可能在下半年迎來較為好轉(zhuǎn)的情形。

3、NAND Flash進入減產(chǎn)期?

AI效應之下,HBM獲利表現(xiàn)與高漲的市場需求日益凸顯,吸引存儲廠商大力布局生產(chǎn),存儲市場資本支出結(jié)構(gòu)因而發(fā)生改變,為持續(xù)滿足HBM需求,存儲廠商將更多資本用于DRAM領(lǐng)域,這使得用于NAND Flash生產(chǎn)的投資減少。

與此同時,為應對市場需求變化,多家大廠表態(tài)將下調(diào)存儲產(chǎn)品產(chǎn)量,NAND Flash成為重點調(diào)整對象。

美光科技最新財報上顯示,2025財年第一季度(截至2024年11月)美光NAND業(yè)務(wù)環(huán)比下滑5%,主要原因是受到了手機、汽車及工業(yè)等市場需求持續(xù)走低的影響。對此,美光執(zhí)行副總裁首席財務(wù)官Mark Murphy表示,在NAND業(yè)務(wù)方面,公司正在采取迅速而果斷的行動來降低資本支出并削減晶圓產(chǎn)量。

另據(jù)媒體報道,三星設(shè)備解決方案(DS)副總裁KimJae-joon近期表示,正下調(diào)通用DRAM與NAND存儲產(chǎn)品的產(chǎn)量,以應對逐漸下滑的市場需求。

去年12月,市場開始傳出鎧俠將對NAND Flash實施減產(chǎn),以應對市場需求下滑與產(chǎn)能過剩。

結(jié) 語

存儲市場正面臨終端需求不顯、合約價走跌、部分領(lǐng)域產(chǎn)能過剩將進行減產(chǎn)等挑戰(zhàn),但存儲產(chǎn)業(yè)未來仍舊值得期待:AI強勁的增長態(tài)勢仍在孕育無限發(fā)展機會,存儲廠商也在不遺余力調(diào)節(jié)產(chǎn)能,推動高獲利、高性能存儲產(chǎn)品生產(chǎn),以持續(xù)改善供需,再次推動存儲產(chǎn)業(yè)向上發(fā)展。

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