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如何測量晶圓表面金屬離子的濃度?

2024/11/25
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知識星球(星球名:芯片制造與封測技術(shù)社區(qū),星球號:63559049)里的學(xué)員問:在晶圓清洗后,我們?nèi)绾螠y量晶圓表面的金屬離子是否洗干凈?

金屬離子濃度為什么要嚴(yán)格控制?

金屬離子在電場作用下容易發(fā)生遷移。如Li?,Na?、K?等可遷移到柵氧化層,導(dǎo)致閾值電壓下降。詳見之前的文章:<芯片制造中的MIC要格外注意>

常用的檢測晶圓表面金屬離子的儀器?

全反射 X 射線熒光光譜儀,英文簡稱TXRF

X射線熒光是什么?

當(dāng)X射線照射樣品時,樣品原子吸收X射線的能量,使原子的內(nèi)層電子被激發(fā)到更高能級,原有位置形成空穴。而外層電子會躍遷至內(nèi)層空穴,在躍遷過程中,多余的能量以特定波長的X射線形式釋放。通過檢測這些X射線,可以確定元素的種類和含量。

什么叫全反射?

TXRF 的X 射線會以極低的入射角照射樣品表面,X 射線的穿透深度僅有幾個nm,即全部反射,大大減少了背景信號干擾,因此可檢測低至 ppb級別的痕量金屬污染。TXRF的優(yōu)勢?1,靈敏度高2,非破壞性3,快速檢測,一般只要幾分鐘4,全晶圓分析
5,可以分析多種襯底,例如 Si、SiC、GaAs、InP、藍(lán)寶石、玻璃等

 

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