芯耀
1354
8月8日上午，英飛凌正式啟用馬來西亞居林新SiC晶圓廠的一期工程，并為該晶圓廠舉行了落成典禮。英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck、馬來西亞首相拿督斯里安瓦爾等出席了揭牌儀式。
在落成典禮上，拿督斯里安瓦爾為新晶圓廠主持揭幕，并宣布該工廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米碳化硅功率半導體工廠。
英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck致辭表示，居林3號工廠一期投資金額為20億歐元（合計約144億人民幣）；在未來五年內，英飛凌將再投入多達50億歐元（約391億人民幣）進行馬來西亞居林第三廠區(qū)的二期建設，屆時2期項目將在馬來西亞創(chuàng)造4000個工作崗位。
新廠區(qū)將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。
據(jù)英飛凌2024財年第三季度透露，目前，居林3號工廠的擴建工作已成功獲得10億歐元資金支持，這主要得益于多家汽車主機廠和工業(yè)客戶預付的設計訂單。
隨著居林3號工廠的正式開業(yè)，英飛凌將進一步履行其在推動功率電子和電動汽車領域技術創(chuàng)新方面的承諾。
除了居林3號工廠外，英飛凌還投資改造奧地利的菲拉赫生產(chǎn)基地，也將致力于8英寸SiC/GaN的生產(chǎn)。
據(jù)了解，英飛凌目前正在持續(xù)推進奧地利菲拉赫的硅晶圓工廠進行改造，計劃將6英寸和8英寸的硅晶圓生產(chǎn)線轉變?yōu)樘蓟韬偷壠骷纳a(chǎn)線。
閱讀全文
下載ECAD模型
