半導體集成電路主要區(qū)分為擴散(Diffusion)、制版（照相）（黃光）(Photo)、蝕刻(Etch)和制薄(Thin-film). IMP(離子植入) 五大工序，五個工序的制程特性與使用的制程原料與機臺各不相同。其中以擴散制程對熱電偶的要求特別的高

SPRIKE T/C(控溫熱電偶)；PROFILE T/C(多點式熱電偶)；FLAT ZONE T/C(校準熱電偶)

• SPRIKE T/C（控溫熱電偶）

是控制爐體(CHAMBER HEATER)溫度用，SPRIKE T/C大都單點型

SPRIKE T/C 每點位置需與PROFILE T/C溫度點位置 相互平行對應確保爐溫穩(wěn)定及正確

• PROFILE T/C（校準熱電偶）

分 LP PROFILE T/C 以及 AP PROFILE T/C

PROFILE T/C只是用作量測溫度而非作升降溫控制使用

當製程設定溫度 PROFILE T/C 量測實際 chamber 每 一 設定點反應溫度確保與設定值相同

Profile T/C保護管分為高純度透明石英管、SIC管(又分有Cu塗層及無塗層)和藍寶石保護管
SIC管及藍寶石保護管用於高溫製程。

SIC無涂層管易受硅滲透，污染鉑金線造成熱電偶芯線斷線，但由于價格問題，亦有半導體廠家采用。

FLAT ZONE T/C（校正熱電偶）

當產品厚度有異常時則使用FLAT ZONE T/C量測爐體溫度分佈FLAT ZONE T/C

是單點式量測時由底端緩慢往出口端移動同時記錄溫度

FLAT ZONE T/C 量測時分為自動(有機械製具)約24小時 手動(人工移動)約二小時,左述時間僅提供參考

蘇州深鉑維溫控設備有限公司

楊月月 19901460646