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設(shè)計(jì)資料

STPOWER SiC MOSFET：高壓開關(guān)的真正突破

意法半導(dǎo)體(ST)
3358

2024/10/24
SiC 碳化硅 MOSFET
SiC MOSFET：柵極驅(qū)動(dòng)優(yōu)化

安森美半導(dǎo)體
3718

2024/01/16
SiC 碳化硅 MOSFET
SiC MOSFET中自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化

力特奧維斯Littelfuse
1390

2023/10/26
MOSFET SiC MOSFET
sic mosfets cost benefits pcim2014

意法半導(dǎo)體(ST)
359

2023/04/25
SiC MOSFET
sic and silicon mosfet solution for high frequency dc ac converters

意法半導(dǎo)體(ST)
160

2023/04/25
SiC MOSFET

文章

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN

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263

05/20 17:50

二極管東芝
意法半導(dǎo)體車規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器提升電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的可擴(kuò)展性和性能
意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設(shè)置的安全保護(hù)和豐富的診斷功能，確保電驅(qū)系統(tǒng)通過(guò)ISO 26262 ASIL D認(rèn)證。STGAP4S驅(qū)動(dòng)器集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和反激式電源控制器，功能豐富，取得了功能安全標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，適用于設(shè)計(jì)可擴(kuò)展的電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)。 STGAP4S的設(shè)計(jì)靈活性歸功于輸出電路，該電路允許將高

與非網(wǎng)編輯

519

05/12 18:12

意法半導(dǎo)體 IGBT
致瞻科技：SiC MOS是800V汽車空調(diào)的首選
致瞻科技創(chuàng)始人史經(jīng)奎和浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)發(fā)表了題為《SiC MOSFET：800V電動(dòng)汽車空調(diào)壓縮機(jī)的必然趨勢(shì)》的論文。該團(tuán)隊(duì)旗幟鮮明地指出，與硅基IGBT相比，SiC MOSFET是800V電動(dòng)汽車電動(dòng)壓縮機(jī)的首選。

行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

912

04/03 08:58

SiC MOSFET 空調(diào)壓縮機(jī)
福特汽車：SiC MOS檢測(cè)新方法，低成本、更簡(jiǎn)單
最近，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET質(zhì)量問題感覺有點(diǎn)被“以偏概全”、過(guò)度放大了，一定程度影響了整體國(guó)產(chǎn)品牌的聲譽(yù)，但實(shí)際上一些頭部國(guó)產(chǎn)品牌的碳化硅器件質(zhì)量管控體系還是不錯(cuò)，行業(yè)還是要看到和可能近些年國(guó)產(chǎn)碳化硅的進(jìn)步，而且需要給更多的國(guó)產(chǎn)品牌一些成長(zhǎng)的“時(shí)”和“機(jī)”。

行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

1033

03/28 14:31

SiC MOSFET
2家SiC企業(yè)實(shí)現(xiàn)主驅(qū)突破，今年MOS國(guó)產(chǎn)化率將達(dá)20%？
近日，國(guó)內(nèi)2家SiC企業(yè)先后宣布實(shí)現(xiàn)了主驅(qū)突破：● 清純半導(dǎo)體：通過(guò)大眾集團(tuán)POT審核，成為大眾汽車中國(guó)本土碳化硅芯片供應(yīng)商；●?芯粵能：成功開發(fā)出第一代SiC溝槽MOSFET工藝平臺(tái)，旗下芯片有望在今年上半年上車。

行家說(shuō)三代半

932

03/26 09:50

SiC MOSFET

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