PCRAM 又稱 PCM、OUM（Ovonic UnifiedMemory）和 CRAM（Chalcogenide Random AccessMemory），是一種利用相變材料（一種或多種硫系化合物薄膜）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，通過(guò)相變材料在電流的焦耳熱作用下，在結(jié)晶相態(tài)（crystalline）和非晶相態(tài)（amorphous）之間快速并可逆的轉(zhuǎn)換時(shí)，會(huì)呈現(xiàn)出的不同電阻率這一特性來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的 NVM 技術(shù)。

PCRAM 又稱 PCM、OUM（Ovonic UnifiedMemory）和 CRAM（Chalcogenide Random AccessMemory），是一種利用相變材料（一種或多種硫系化合物薄膜）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，通過(guò)相變材料在電流的焦耳熱作用下，在結(jié)晶相態(tài)（crystalline）和非晶相態(tài)（amorphous）之間快速并可逆的轉(zhuǎn)換時(shí)，會(huì)呈現(xiàn)出的不同電阻率這一特性來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的 NVM 技術(shù)。收起