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類型

電路方案

TEC MOSFET模塊
 ATE1-127 模塊

Xiaoxu Sun 孫曉旭 ATI

2023/11/24

3128

文章

東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，助力工業(yè)設備的高效率和小型化
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

與非網(wǎng)編輯

977

2023/08/29

傳感器 SiC MOSFET
東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實現(xiàn)尺寸更小，效率更高的工業(yè)設備
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A；后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。

與非網(wǎng)編輯

172

2022/01/27

IGBT SiC-MOSFET
冷觀碳化硅“上車”熱潮
國內(nèi)碳化硅功率器件行業(yè)還呈現(xiàn)“小”“散”特征，未來五年將是整合期，車規(guī)級碳化硅功率器件與國外公司還有較大差距。此外，碳化硅功率器件技術仍在演進過程中，還需關注其中風險，“熱潮”下也要“冷觀”。

中國電子報

287

2022/01/14

SiC 碳化硅
SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對稱的布板設計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實際的測量結果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。

英飛凌

129

2021/02/20

SiC pcb

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