• 使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

  在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進行設(shè)計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。

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  2022/09/14

  GaN 氮化鎵
• 貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 賦能4G和5G通信應(yīng)用

  專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子即日起開始備貨Qorvo? QPD0011高電子遷移率晶體管 (HEMT)。

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  2021/08/23

  Qorvo SiC
• 【IEEE里程碑獎】HEMT技術(shù)詳解

  High Electron Mobility Transistor

  趙元闖

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  2021/05/28

  功率放大器 GaN

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