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剛剛，三星電子首個3nm量產(chǎn)官宣！
今天上午，三星電子官宣，已開始量產(chǎn)基于GAA晶體管（Gate-All-Around FET，全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)的3nm芯片。

芯東西

357

2022/06/30

三星電子 3nm芯片
科研前線 | 深度學(xué)習(xí)助力GAA器件設(shè)計，中國臺灣NYCU新成果發(fā)布
近期落幕的2022 VLSI-TSA上，中國臺灣陽明交通大學(xué)李義明團隊發(fā)表了應(yīng)用于GAA晶體管器件的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，該模型基于深度學(xué)習(xí)技術(shù)開發(fā)的，可針對功函數(shù)漲落、隨機摻雜波動和界面陷阱波動等影響器件結(jié)構(gòu)的隨機參數(shù)進行預(yù)測。

芯片揭秘

518

2022/05/31

深度學(xué)習(xí) GAA晶體管
科研前線 | 芯片自熱新解，韓國團隊試水GAA器件全接觸結(jié)構(gòu)
近日，韓國首爾大學(xué)團隊發(fā)表了針對基于三溝道GAAFET器件的Wrap-Around Contact結(jié)構(gòu)改進的研究，其成果表明WAC結(jié)構(gòu)對于降低寄生電阻和自熱效應(yīng)，提升器件性能和可靠性方面確有成效，將助力先進工藝器件結(jié)構(gòu)設(shè)計的改進。

芯片揭秘

438

2022/03/04

GAA晶體管 GAAFET
泛林集團的選擇性刻蝕設(shè)備組合正在推進芯片行業(yè)下一個重要的技術(shù)拐點
在過去的十年里，對于體積更小、密度更高、性能更強大的芯片的需求一直在推動半導(dǎo)體制造商從平面結(jié)構(gòu)向越來越復(fù)雜的三維(3D)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型。原因很簡單，垂直堆疊可以實現(xiàn)更高的密度。

與非網(wǎng)編輯

282

2022/02/28

晶體管半導(dǎo)體制造
科研前線 | 華為-imec共同探索GAA晶體管關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)
Inner spacer制造是GAA器件中的關(guān)鍵步驟之一，該環(huán)節(jié)與晶體管溝道應(yīng)力、電路寄生參數(shù)等影響器件性能的重要因素息息相關(guān)。

芯片揭秘

764

2021/12/15

華為 GAA晶體管

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