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DDR4內(nèi)存

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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn):16bit預(yù)取機(jī)制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。

DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn):16bit預(yù)取機(jī)制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。收起

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