• ReRAM 技術(shù)取得新突破，商業(yè)化可期

  電阻RAM (ReRAM)技術(shù)已經(jīng)被期待好幾年了。盡管它在幾家芯片制造商的路線圖上占有一席之地，而且是HPE基于憶阻器的“the Machine”項目等新型架構(gòu)的一部分，但它從未作為一項革命性的存儲技術(shù)獲得成功。

  與非網(wǎng)編輯

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  2021/07/22

  存儲技術(shù) ReRAM
• Crossbar：ReRAM技術(shù)有望顛覆目前的存儲模式，破解人工智能時代的大數(shù)據(jù)處理困境

  在人工智能的認(rèn)知系統(tǒng)里，最重要部分就是通過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、深度學(xué)習(xí)等技術(shù)讓機器盡可能像人一樣去思考，而機器的世界里只有0和1，這就需要海量數(shù)據(jù)來幫助機器進行判斷。以前阻礙人工智能發(fā)展的主要因素是CPU的處理能力，隨著數(shù)據(jù)的爆發(fā)式增長，傳統(tǒng)的存儲解決方案不僅無法滿足高速計算的需求，而且難以負(fù)擔(dān)得起數(shù)據(jù)長期保留產(chǎn)生的費用，這促使很多企業(yè)開始尋求新的

  咖啡不解困

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  2018/02/01

  人工智能 Crossbar
• 看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

  你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過，在內(nèi)存天下三分的大背景下，新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音， RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進展較快的一個。

  吳子鵬

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  2017/09/19

  dram NAND
• Crossbar：單芯片實現(xiàn)太字節(jié)存儲，我們能做到

  物聯(lián)網(wǎng)、云存儲推動了數(shù)據(jù)的急劇增長，預(yù)計數(shù)據(jù)量每兩年就會翻一番，到2020年會達(dá)到44TB。從超低功耗微控制器到大型數(shù)據(jù)中心的連接器件，存儲器無處不在，相對于老式的磁盤存儲器，閃存提供了更好的讀寫性能，采用閃存的固態(tài)硬盤發(fā)展勢頭加速，是由于它沒有機械運動固件，尺寸更小且速度更快。為了滿足市場需求，閃存制造商不得不通過縮小存儲單元的尺寸，讓

  咖啡不解困

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  2016/03/23

  閃存 RRAM

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