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原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）詳解
ALD 是一種精確的薄膜沉積技術(shù)，其核心原理是利用化學(xué)反應(yīng)的“自限性”，以原子或分子層為單位逐層生長薄膜。具體過程包括：前體吸附：將化學(xué)前體（Precursor）引入反應(yīng)室，前體分子在襯底表面發(fā)生吸附，形成單分子層。

老虎說芯

5611

01/15 08:45

ALD ALD技術(shù)
ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢(shì)？
學(xué)員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢(shì)？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對(duì)比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進(jìn)出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

TOM聊芯片智造

2779

2024/12/20

ALD ALD技術(shù)
一項(xiàng)多尺度模擬技術(shù)，打通ALD的材料—過程—裝備？
今天我們對(duì)話的這位專家是來自華東理工大學(xué)化工學(xué)院的莊黎偉教授，他在原子層沉積工藝中進(jìn)行了非常多的探索，今天我們就請(qǐng)莊教授和我們一起來聊聊他所從事的事情，請(qǐng)莊教授和大家打個(gè)招呼。

芯片揭秘

3471

2024/04/01

ALD ALD技術(shù)
微導(dǎo)納米黎微明：讓ALD技術(shù)充分發(fā)揮前瞻性和共性技術(shù)的作用
10月13-14日，由張江高科、芯謀研究聯(lián)合主辦的第九屆張江高科·芯謀研究集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖峰會(huì)在上海浦東張江召開，微導(dǎo)納米CTO黎微明博士在次日舉辦的設(shè)備材料分論壇中以《ALD技術(shù)在先進(jìn)半導(dǎo)體芯片的應(yīng)用及國產(chǎn)化展望》為主題發(fā)表演講。

芯謀研究

1759

2023/11/05

ALD技術(shù) 先進(jìn)芯片
材料｜Picosun推出柔性有機(jī)電子顯示產(chǎn)品用新型涂層解決方案
由于可折疊手機(jī)和其他未來電子產(chǎn)品的快速迭代需要更輕、更可靠并能夠折疊和拉伸的設(shè)備材料，有機(jī)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和制造過程中對(duì)材料涂布或沉積方法的改進(jìn)有著急切地需求。

CINNO Research

170

2022/01/06

封裝 ALD技術(shù)

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