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絕緣柵雙極晶體管

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絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點,具有良好的特性,應用領域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。

絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點,具有良好的特性,應用領域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。收起

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設計資料

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    絕緣柵雙極晶體管(以下簡稱IGBT)是一種復合半導體器件,融合了MOSFET的快速開關能力、高頻操作、高輸入阻抗、簡單的驅動電路和有利的熱特性等優(yōu)點,同時還具備了GTR的大電流承載能力和高阻擋電壓等優(yōu)勢。因此,IGBT是一種理想的開關器件,可以替代GTR,廣泛應用于各種需要具備關閉能力的應用領域,如各種固態(tài)電源供應系統(tǒng)。
  • 浮思特| 絕緣柵雙極晶體管——IGBT,認識其原理及其應用
    絕緣柵雙極晶體管只需通過激活和停用其柵極端子即可“開啟”或“關閉”。在柵極和發(fā)射極之間施加正輸入電壓信號將使器件保持在“ON”狀態(tài),而使輸入柵極信號為零或稍微為負將導致其以與雙極晶體管大致相同的方式關閉“OFF”或eMOSFET。IGBT的另一個優(yōu)點是它的通態(tài)溝道電阻比標準MOSFET低得多。
  • 絕緣柵雙極晶體管
    絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種重要的功率半導體器件,廣泛應用于電力電子設備和工業(yè)控制系統(tǒng)中。它集成了雙極晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)的優(yōu)點,在高壓、高電流和高頻率條件下工作。IGBT具有可靠性高、開關速度快和低功耗等特點,因此被廣泛應用于各種領域,如電機驅動、變頻器、逆變器、電子焊接和電源系統(tǒng)等。
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