• MOSFET的米勒電容Cgd很重要，1400字教你兩種方式準(zhǔn)確計(jì)算出電路中的米勒電容值

  在之前的文章中，我們介紹了兩種方式計(jì)算出米勒平臺(tái)電壓值，也說明了MOSFET的米勒效應(yīng)對(duì)于MOSFET的電路設(shè)計(jì)以及器件選型有很重要的影響，米勒效應(yīng)使得MOSFET柵極電壓的變化變得較慢從而會(huì)影響MOSFET的開關(guān)速度，其次米勒效應(yīng)導(dǎo)致的柵極電流的增加和電容充電過程會(huì)增加開關(guān)損耗，同時(shí)柵極電壓的變化可能導(dǎo)致MOSFET的不穩(wěn)定工作，特別是在高頻或快速開關(guān)時(shí)，這可能導(dǎo)致振蕩、過沖、甚至導(dǎo)致MOSFET損壞。

  硬件那點(diǎn)事兒

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  MOSFET 米勒效應(yīng)

  
• MOSFET的米勒平臺(tái)電壓很重要，1400字教你兩種方式計(jì)算出米勒平臺(tái)電壓值

  MOSFET米勒效應(yīng)是指在MOSFET的開關(guān)過程中，由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在，漏極電壓的變化會(huì)通過該電容耦合到柵極，導(dǎo)致柵極電壓出現(xiàn)不希望的變化。在MOSFET開關(guān)的過程中，特別是當(dāng)漏極電壓發(fā)生快速變化時(shí)，柵極電壓需要經(jīng)歷一個(gè)過渡階段，這一階段通常表現(xiàn)為柵極電壓變化的“平臺(tái)”部分，稱為米勒平臺(tái)電壓。

  硬件那點(diǎn)事兒

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  01/06 15:47

  MOSFET 電壓

  
• 臭名昭著的MOS管米勒效應(yīng)

  理論加仿真

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  2020/08/11

  MOS管 開關(guān)電路
• 米勒效應(yīng)

  米勒效應(yīng)（Miller effect）是指晶體管放大電路中，輸入信號(hào)與輸入端之間的電容量會(huì)使得輸出信號(hào)頻率對(duì)輸入信號(hào)頻率產(chǎn)生扭曲或者降低放大倍數(shù)的現(xiàn)象。

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  2022/11/30

  米勒效應(yīng)
• 如何理解mosfet的米勒平臺(tái)效應(yīng)

  金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（簡稱MOSFET）是一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子學(xué)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，米勒平臺(tái)效應(yīng)是影響MOSFET性能的重要因素之一。

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  01/07 15:44

  MOSFET 米勒效應(yīng)
• 米勒效應(yīng)產(chǎn)生的原因 米勒效應(yīng)消除方法

  米勒效應(yīng)是指人們對(duì)異常事件或信息更加關(guān)注和重視，從而忽略了它的出現(xiàn)頻率較高的可能性。產(chǎn)生這種效應(yīng)的原因主要有以下幾點(diǎn)：

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  2022/11/25

  米勒效應(yīng)

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