• 12英寸氮化鎵，新輔助？

  第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。

  全球半導(dǎo)體觀察

  2401

  2024/09/11

  GaN 氮化鎵
• 第三代半導(dǎo)體材料并非彎道超車，炒作之嫌需避免

  目前，本土晶圓大廠與臺積電在技術(shù)水平上的差距是非常明顯的。

  鐵君

  151

  2020/09/14

  臺積電 GaN
• 從射頻角度看砷化鎵，國產(chǎn)當(dāng)自強(qiáng)

  砷化鎵，不尷不尬？

  步日欣

  394

  2020/06/01

  射頻 砷化鎵
• 加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局，康佳擬億元參設(shè)基金開跑

  智造浪潮正在興起，半導(dǎo)體集成電路作為消費(fèi)電子產(chǎn)品最核心的部件，市場需求強(qiáng)勁，為康佳半導(dǎo)體業(yè)務(wù)帶來極大機(jī)遇。

  AI芯天下

  72

  2020/03/11

  半導(dǎo)體 芯片
• OPPO小米相繼點(diǎn)燃GaN充電器市場，GaN充電器或成手機(jī)廠商新寵

  去年 10 月，OPPO Reno Ace 正式發(fā)布，標(biāo)配 65W 超級閃充 GaN 充電器。

  拓墣產(chǎn)業(yè)研究

  59

  2020/02/18

  GaN 小米
• 趣科技 | 第三代半導(dǎo)體材料：初出茅廬卻要把前輩全面取代

  第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下，而第二、三代半導(dǎo)體材料便成化合物的天下，這其中經(jīng)歷了什么故事？而我國憋足大招準(zhǔn)備在第三半導(dǎo)體材料方面彎道超車是否現(xiàn)實(shí)？本期《趣科技》就來講講半導(dǎo)體材料的故事，從第一、二代走過，第三代半導(dǎo)體材料將講述怎樣的故事。

  趙碧瑩

  12

  2016/11/30

  SiC GaN
• 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟誕生，咱們一起“變道超車”

  9月9日下午，在國家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半導(dǎo)體相關(guān)科研機(jī)構(gòu)、大專院校、龍頭企業(yè)自愿發(fā)起籌建的“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”（簡稱“聯(lián)盟”）正式成立。

  與非網(wǎng)記者

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  2015/09/10

  SiC 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
• 第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底分類_技術(shù)指標(biāo)_生長工藝_產(chǎn)業(yè)鏈_下游應(yīng)用等解析

  1、第三代半導(dǎo)體特性 (1)碳化硅 根據(jù)《中國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場強(qiáng)度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。 ②耐高溫：半導(dǎo)體器件在較高的溫度下，會產(chǎn)生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。禁帶寬度越大，器件的極限工作溫度越高。碳化硅的禁帶接近硅的3

  老虎說芯

  1468

  01/15 14:52

  碳化硅 第三代半導(dǎo)體

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