• 2個晶圓廠新進(jìn)度：正式投片；車規(guī)SiC MOS亮相

  近日，國內(nèi)2家碳化硅IDM廠商實(shí)現(xiàn)了晶圓廠和車規(guī)級SiC MOS產(chǎn)品方面的突破：9月20日，昕感科技官微宣布，他們于當(dāng)日順利完成晶圓廠首批投片，標(biāo)志著昕感晶圓廠正式進(jìn)入全面營運(yùn)階段。

  行家說三代半

  1844

  2024/09/24

  晶圓廠 SiC-MOSFET

  
• 58.97億元！芯聯(lián)集成并購碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)子公司

  今年6月20日晚間，芯聯(lián)集成曾發(fā)布公告稱，其擬收購控股子公司芯聯(lián)越州集成電路制造（紹興）有限公司（以下簡稱：芯聯(lián)越州）剩余72.33%股權(quán)。歷時2個多月后，芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州剩余72.33%股權(quán)的并購案迎來了最新進(jìn)展。9月4日晚間，芯聯(lián)集成發(fā)布公告稱，其收購芯聯(lián)越州剩余72.33%股權(quán)的重組草案通過了董事會決議。

  化合物半導(dǎo)體市場

  1521

  2024/09/06

  碳化硅 碳化硅MOSFET

  
• 國家隊加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

  據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。

  全球半導(dǎo)體觀察

  1826

  2024/09/03

  芯片制造 第三代半導(dǎo)體

  
• 國產(chǎn)SiC實(shí)現(xiàn)3大技術(shù)突破：溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產(chǎn)

  近期國內(nèi)多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術(shù)突破，涉及溝槽技術(shù)、大尺寸制備等：●?青禾晶元：實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的規(guī)?；a(chǎn)。●?國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）：成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)●?上海漢虹：使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體。

  行家說三代半

  2502

  2024/09/03

  SiC 碳化硅MOSFET

  
• 4家SiC相關(guān)企業(yè)獲融資

  近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)又有4家SiC相關(guān)企業(yè)獲得融資：新瀝半導(dǎo)體：完成A輪融資，已量產(chǎn)1200V 80毫歐碳化硅MOS；矽迪半導(dǎo)體：完成數(shù)千萬天使輪融資，將新建試產(chǎn)線工廠；盈鑫半導(dǎo)體：完成天使輪投資，加速CMP進(jìn)口替代；蓋澤科技：完成數(shù)千萬融資，SiC設(shè)備已量產(chǎn)交付。

  行家說三代半

  1927

  2024/04/06

  SiC 碳化硅

  
• 碳化硅MOS/超結(jié)MOS在直流充電樁上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體

  直流充電樁是新能源汽車直流充電樁的簡稱，一般也被叫做“快充”。直流充電樁一般與交流電網(wǎng)連接，可作為非車載電動汽車的動力補(bǔ)充，是一種直流工作電源的電源控制裝置，可以提供充足的電量，輸出電壓和電流可以連續(xù)調(diào)節(jié)，可有效實(shí)現(xiàn)快速充電的要求。

  REASUNOS瑞森半導(dǎo)體

  1094

  2023/11/24

  瑞森半導(dǎo)體 直流充電樁
• 東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝

  東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開始批量出貨。

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  1436

  2023/08/31

  碳化硅MOSFET 驅(qū)動信號

  
• 東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化

  東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

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  977

  2023/08/29

  傳感器 SiC MOSFET

  
• 揭秘碳化硅芯片的設(shè)計和制造

  眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計和制造工藝有著極高的要求，接下來我們來看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設(shè)計和制造上都獲得了哪些進(jìn)展和成果。 Die Layout 下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFE

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  2018

  2023/04/04

  電阻 BOM
• SiC MOSFET配合SMPDTM絕緣封裝盡顯優(yōu)勢

  作者：Littelfuse公司Aalok Bhatt、Francois Perraud、José Padilla和Martin Schulz ISOPLUS - SMPDTM?SMPD的全名是安裝功率器件(Surface?Mount?Power?Device)，由Littelfuse公司旗下的IXYS（現(xiàn)在是的一部分）開發(fā)，是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝技術(shù)，為設(shè)計工程師簡化了處理功率半導(dǎo)體系統(tǒng)集成和安

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  2904

  2023/03/28

  Littelfuse SiC MOSFET
• 派恩杰半導(dǎo)體完成數(shù)億元A輪融資，SiC車規(guī)級功率MOS今年有望實(shí)現(xiàn)數(shù)億營收

  1月19日，派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司（以下簡稱“派恩杰半導(dǎo)體”）完成數(shù)億元A輪融資，由華潤資本，湖杉資本（老股東加持）和欣柯資本共同完成。本輪融資資金將主要用于加速產(chǎn)品研發(fā)、擴(kuò)張產(chǎn)能、加強(qiáng)供應(yīng)鏈保障和優(yōu)化產(chǎn)業(yè)鏈布局。 派恩杰半導(dǎo)體成立于2018年9月， 是一家碳化硅功率器件設(shè)計及方案商，致力于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計研發(fā)與產(chǎn)品銷售。公司創(chuàng)始人深耕功率器件領(lǐng)域10余年，研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化多款SiC

  集微網(wǎng)

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  2023/01/28

  功率模塊 碳化硅MOSFET
• 安森美推出全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET

  領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless (TOLL) 封裝的碳化硅 (SiC) MOSFET。

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  286

  2022/05/11

  EMI 安森美
• 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性

  碳化硅MOSFET在許多方面優(yōu)于IGBT的卓越性能不用質(zhì)疑。但與此同時，因其材料、結(jié)構(gòu)的特殊性，碳化硅MOSFET的可靠性與壽命也一直是工程師們關(guān)注與討論的熱點(diǎn)。

  英飛凌

  245

  2021/06/29

  SiC 英飛凌
• 碳化硅mosfet

  碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET），簡稱碳化硅MOSFET，是一種新型功率半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電力電子和工業(yè)控制領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比，碳化硅MOSFET具有更高的功率密度、更低的開關(guān)損耗以及更高的溫度穩(wěn)定性，因此備受關(guān)注。

  eefocus_3901714

  3502

  2024/04/12

  碳化硅MOSFET

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