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碳化硅肖特基勢壘二極管的特征及與碳二極管的比較
我們從SiC肖特基勢壘二極管的結(jié)構(gòu)開始介紹，如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)），結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。

森國科

2448

2023/07/27

二極管肖特基勢壘二極管
Diodes 公司發(fā)表首款碳化硅蕭特基勢壘二極管 (SBD)
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 蕭特基勢壘二極管 (SBD)。產(chǎn)品組合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一項 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產(chǎn)品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 額定電壓 (2A、5A 和 10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙 SBD 的優(yōu)點包

與非網(wǎng)編輯

946

2023/02/08

二極管 Diodes

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