• 國產(chǎn)SiC實(shí)現(xiàn)3大技術(shù)突破：溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產(chǎn)

  近期國內(nèi)多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術(shù)突破，涉及溝槽技術(shù)、大尺寸制備等：●?青禾晶元：實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的規(guī)模化生產(chǎn)?！?國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）：成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)●?上海漢虹：使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體。

  行家說三代半

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  2024/09/03

  SiC 碳化硅MOSFET

  
• 分享 | 可編程晶振芯片幾個(gè)知識點(diǎn)

  什么是可編程晶振？可編程晶振多為有源晶振，由兩個(gè)芯片組成；一個(gè)是全硅MEMS諧振器，一個(gè)是具有溫補(bǔ)功能的芯片，可以啟動(dòng)電路鎖相環(huán)CMOS。它采用標(biāo)準(zhǔn)化的半導(dǎo)體芯片MCM封裝。可以采用全自動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝，比如現(xiàn)在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)用的IC，穩(wěn)定性和質(zhì)量都很好；生產(chǎn)過程中不能出現(xiàn)人為錯(cuò)誤。

  深圳揚(yáng)興科技有限公司

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  2024/01/10

  晶振 可編程晶振
• 決戰(zhàn)碳化硅：成敗在于襯底大小與厚度？

  近年來，包括碳化硅在內(nèi)的功率半導(dǎo)體市場并沒有因整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的周期性下行而出現(xiàn)絲毫頹勢，反而逆市上揚(yáng)，發(fā)布新產(chǎn)品的、投資的、擴(kuò)大產(chǎn)能的動(dòng)作比比皆是，目的不外一個(gè)：降本增效。怎么做到？還得從碳化硅器件的原材料——晶錠說起。

  文立

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  2023/05/04

  SiC 碳化硅
• 晶盛機(jī)電宣布成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體

  近日，晶盛機(jī)電通過官方微信公眾號宣布，經(jīng)過晶體實(shí)驗(yàn)室研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年多的技術(shù)攻關(guān)，8月12日，首顆8英寸（200mm）N型SiC（碳化硅）晶體成功出爐，晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代。

  芯智訊

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  2022/08/16

  半導(dǎo)體材料 晶盛機(jī)電

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