CMOS可靠性測(cè)試新趨勢(shì):脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC?
在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著技術(shù)的不斷演進(jìn),對(duì)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能(AI)、5G通信和高性能計(jì)算(HPC)等前沿技術(shù)的推動(dòng)下,傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測(cè)試中的應(yīng)用,以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。 引言 對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言,交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測(cè)試的有力補(bǔ)充。在NBTI(負(fù)偏置溫度不穩(wěn)