• 淺談power signoff之power EM

  電遷移是一個重要問題，尤其是在金屬互連的橫截面積非常小的低工藝節(jié)點中。

  志芯

  3萬

  2024/09/23

  電遷移
• 模擬版圖中常見的“效應(yīng)問題”及解決辦法

  天線效應(yīng)是指在芯片生產(chǎn)過程中，暴露的金屬線或者多晶硅等導(dǎo)體，像天線一樣收集電荷（如等離子刻蝕產(chǎn)生的帶電粒子），導(dǎo)致電位升高。當這些導(dǎo)體連接到MOS管的柵極時，高電壓可能擊穿柵氧化層，使電路失效。這種現(xiàn)象主要發(fā)生在深亞微米集成電路加工工藝中，特別是使用等離子刻蝕技術(shù)時。

  芯火平臺

  8279

  2024/07/24

  電遷移

  
• Siemens EDA推mPower，為2D和3D IC提供電源完整性驗證方案

  mPower能夠為模擬IC設(shè)計人員提供一種創(chuàng)新的動態(tài)解決方案，可在大型模塊和芯片上進行高度精確的、基于模擬的EM/IR分析，從而取代對選定網(wǎng)絡(luò)粗略的靜態(tài)分析和SPICE模擬。

  夏珍

  366

  2021/10/25

  與非觀察 eda
• 芯片毀于噪聲（二）FinFET使噪聲效應(yīng)疊加

  FinFET技術(shù)已經(jīng)成為工藝尺寸繼續(xù)減小的主要動力?！霸诳深A(yù)見的未來，極低的工作電壓與漏電流使得FinFET工藝成為CMOS工藝的標準架構(gòu)，” ANSYS應(yīng)用工程高級總監(jiān)Arvind Shanmugavel說道，“但上述優(yōu)點是有代價的—電源噪聲問題變得突出。一方面，10納米或7納米的FinF

  與非網(wǎng)記者

  3

  2016/09/23

  FinFET 電遷移

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