• 功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

  功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

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  2024/10/29

  功率器件 熱阻

  
• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導體的熱阻

  功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

  2585

  2024/10/22

  功率半導體 功率器件

  
• 功率半導體器件熱阻 | 數(shù)據(jù)表你真的看明白了嗎？

  熱阻（Thermal Resistance，Rθ）是熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其界面都有熱阻，其數(shù)值可以用來計算熱量從熱源中排出的速率。在一個集成器件中，熱的來源總是半導體的結(jié)，而超過了結(jié)的最高工作溫度將導致災(zāi)難性的故障。

  文立

  5.9萬

  2024/09/23

  與非觀察 半導體
• 技術(shù)分享 | 使用熱阻矩陣進行LDO熱分析的指南

  低壓降線性穩(wěn)壓器（LDO）因其工作原理，雖然能以低成本提供高電源質(zhì)量，但也會不可避免地產(chǎn)生損耗和發(fā)熱問題。面對大壓降、大電流，LDO將長時間處于較高的工作溫度范圍，可能影響其使用壽命和可靠性。因此，通過事先分析和評估LDO在特定工作環(huán)境下的溫度，并采取一定的措施，可以有效地避免芯片在長時間的高溫下發(fā)生熱關(guān)斷和老化.

  納芯微電子

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  2024/09/03

  納芯微 LDO

  
• 用于高效能電源應(yīng)用：儒卓力提供基美電子的KONNEKT?系列高效能陶瓷電容器

  目標遠大：基美電子（KEMET）的KONNEKT?技術(shù)是高密度的封裝技術(shù)，可以在不使用金屬框架的情況下實現(xiàn)組件互連，從而降低電容器的 ESR、ESL和熱阻。

  與非網(wǎng)編輯

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  2021/09/09

  電容器 電容
• 仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析

  如何評估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。

  與非網(wǎng)編輯

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  2021/08/17

  英飛凌 IGBT模塊
• 熱阻

  熱阻（Thermal Resistance）是描述物質(zhì)對熱傳導的阻力，也可以理解為傳熱過程中溫度差與熱流量比值的指標。在電子元器件設(shè)計和散熱方案設(shè)計中，熱阻是一個重要的參數(shù)。本文將從以下幾個方面介紹熱阻的基本知識。

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  7.4萬

  2024/09/02

  電子元器件 熱阻

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