氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Gallium Nitride Field-effect Transistor）是一類以氮化鎵以及鋁氮化鎵為基礎(chǔ)材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于氮化鎵材料具有好的散熱性能、高的擊穿電場(chǎng)、高的飽和速度，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管在大功率高頻能量轉(zhuǎn)換和高頻微波通訊等方面有著遠(yuǎn)大的應(yīng)用前景。

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Gallium Nitride Field-effect Transistor）是一類以氮化鎵以及鋁氮化鎵為基礎(chǔ)材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于氮化鎵材料具有好的散熱性能、高的擊穿電場(chǎng)、高的飽和速度，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管在大功率高頻能量轉(zhuǎn)換和高頻微波通訊等方面有著遠(yuǎn)大的應(yīng)用前景。收起