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氮化鎵場效應晶體管

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氮化鎵場效應晶體管(Gallium Nitride Field-effect Transistor)是一類以氮化鎵以及鋁氮化鎵為基礎材料的場效應晶體管。由于氮化鎵材料具有好的散熱性能、高的擊穿電場、高的飽和速度,氮化鎵場效應晶體管在大功率高頻能量轉換和高頻微波通訊等方面有著遠大的應用前景。

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