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測量探頭的 “溫漂” 問題，對于碳化硅襯底厚度測量的實際影響
在半導體制造的微觀世界里，碳化硅襯底作為新一代芯片的關鍵基石，其厚度測量的精準性如同精密建筑的根基，不容有絲毫偏差。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如同一股暗流，悄然沖擊著這一精準測量的防線，給碳化硅襯底厚度測量帶來諸多實際且棘手的影響。一、“溫漂” 現(xiàn)象的內(nèi)在根源測量探頭的 “溫漂”，本質上是由于溫度因素致使探頭自身物理特性發(fā)生改變，進而引發(fā)測量誤差的現(xiàn)象。一方面，環(huán)境溫度的波動是 “溫漂”

萬智光學

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01/14 09:22

碳化硅晶圓
EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件，讓高功率密度應用實現(xiàn)靈活設計
宜普電源轉換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應用實現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機驅動器。

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486

2022/11/03

bldc EPC
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2022/05/17

MOSFET 晶體管

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