• 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

  繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，這種晶圓直徑為300㎜，厚度為20μm。厚度僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進的40-60μ

  與非網(wǎng)編輯

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  2024/10/30

  半導(dǎo)體 英飛凌

  
• 產(chǎn)研：車規(guī)級氮化鎵普及面臨哪些難點？

  前言：車規(guī)級氮化鎵的普及目前還處于非常前期的階段，國產(chǎn)廠商正在加速布局，但后續(xù)前景非?？春谩?從消費級到車規(guī)級，氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢？ 作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對提高電能的高效利用及實現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。目前，GaN正在從低功率消費電子市場轉(zhuǎn)向高功率數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、通信電源等市場。這些應(yīng)用需要的電源具有更大的

  李堅

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  2023/06/27

  GaN 氮化鎵

  
• 簡化低壓氮化鎵應(yīng)用，英諾賽科推出高集成小體積半橋氮化鎵功率芯片ISG3201

  英諾賽科宣布推出SolidGaN系列100V半橋氮化鎵功率芯片新品ISG3201。內(nèi)部集成2顆100V/3.2mΩ增強型氮化鎵和1顆100V半橋驅(qū)動，采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封裝，支持獨立的高低邊PWM信號輸入，可與絕大多數(shù)控制器匹配。是48V功率系統(tǒng)，48V無刷電機驅(qū)動器，48V輕混汽車的理想選擇，如高性能大功率電源轉(zhuǎn)換、電動工具、伺服電機、太陽能逆變器、雙向逆變器和D類功放等應(yīng)用。

  充電頭網(wǎng)

  1110

  2023/01/11

  英諾賽科 氮化鎵功率IC

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