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設(shè)計(jì)資料

CMT8603B-WF_Datasheet_CN_V0.2_202501

華普微 HOPERF 1.82 MB
262

03/07 15:46
光耦隔離器光耦隔離
CMT8603C-WF_Datasheet_CN_V0.2_202501

華普微 HOPERF 1.82 MB
786

03/06 17:28
隔離器光隔離器光耦隔離

文章

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（九）——柵極鉗位
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景，然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)器的相關(guān)功能。

英飛凌

699

04/08 10:10

電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)電路
柵極（Gate）的基本原理、材料選擇和工藝方法
在晶體管世界里，如果將晶體管比作一個(gè)可控的“水龍頭”，那么柵極（Gate）就如同控制龍頭開關(guān)的閥門，其重要性不言而喻。隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米時(shí)代，柵極的材料與制造工藝不斷進(jìn)步，成為提升器件性能的關(guān)鍵之一。

老虎說芯

2191

03/24 09:42

晶體管柵極
為什么采用多晶硅作為柵極材料？
學(xué)員問：為什么柵極的材料采用多晶硅？多晶硅柵的優(yōu)勢(shì)有哪些？柵極材料的變化？如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。

TOM聊芯片智造

1200

02/07 08:57

多晶硅柵極
微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

與非網(wǎng)編輯

512

2021/08/23

dram 晶體管
柵極電流
柵極電流（Gate current）是指在場(chǎng)效應(yīng)管、晶體管等半導(dǎo)體器件中，從柵極（Gate）流入或流出的電流。它在半導(dǎo)體器件的工作過程中起到重要的作用，對(duì)器件的性能和穩(wěn)定性具有重要影響。

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6373

2023/05/25

電流柵極

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