• 8英寸碳化硅襯底/外延，全球量產(chǎn)大比拼

  過去幾年，隨著碳化硅（SiC）器件在電動(dòng)汽車和光伏等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，市場(chǎng)需求迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)。在此背景下，全球6英寸碳化硅襯底/外延生產(chǎn)能力快速擴(kuò)張。 然而，由于前期過度投資，碳化硅材料開始出現(xiàn)供過于求的現(xiàn)象，且下游電動(dòng)汽車率先進(jìn)入競(jìng)爭(zhēng)性降價(jià)，國(guó)產(chǎn)碳化硅相關(guān)的產(chǎn)品從襯底、外延、器件、模組等產(chǎn)品紛紛大幅降價(jià)。據(jù)行業(yè)人士透露：兩年前，全球領(lǐng)先的碳化硅材料企業(yè)Wolfspeed，其主流的6英寸碳化硅晶圓售

  史德志

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  03/12 10:51

  SiC 碳化硅襯底

  
• 國(guó)內(nèi)第一！廣東半導(dǎo)體獨(dú)角獸沖刺IPO，華為比亞迪都投了

  12月24日?qǐng)?bào)道，昨日，廣東第三代半導(dǎo)體企業(yè)天域半導(dǎo)體的港交所主板IPO申請(qǐng)獲受理。華為哈勃科技、比亞迪、上汽集團(tuán)均是其股東。外延片是生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵原材料，從最初的硅發(fā)展到以碳化硅及氮化鎵為代表的新一代材料。碳化硅外延片通?？捎糜谛履茉葱袠I(yè)、軌道交通、智能電網(wǎng)、通用航空等領(lǐng)域。

  芯東西

  2050

  2024/12/25

  外延片 碳化硅外延片

  
• 只要卷不死，就往死里卷：全球SiC襯底、外延片供應(yīng)商大統(tǒng)計(jì)

  前一陣子，網(wǎng)上廣為流傳的是SiC巨頭Wolfspeed巨虧的消息。明明是個(gè)熱門領(lǐng)域，一下子怎么地主家也沒有余糧了？確實(shí)沒有辦法，這個(gè)行業(yè)實(shí)在太卷了。之前我已經(jīng)發(fā)布過一般SiC器件供應(yīng)商的數(shù)據(jù)（鏈接見下方）今天，整理一下SiC器件產(chǎn)品供應(yīng)商的數(shù)據(jù)

  半導(dǎo)體綜研

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  2024/09/22

  SiC 碳化硅襯底

  
• 外延生長(zhǎng)的基礎(chǔ)與應(yīng)用

  在半導(dǎo)體和光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，材料生長(zhǎng)技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色。無論是用于電腦芯片的晶體管，還是高亮度發(fā)光二極管（LED），這些現(xiàn)代電子設(shè)備都依賴于半導(dǎo)體材料的制備。而外延生長(zhǎng)技術(shù)正是其中重要的一環(huán)，它幫助我們?cè)诰w襯底上精確地構(gòu)建新的材料層，提升了器件的性能和可靠性。

  老虎說芯

  4094

  2024/09/21

  外延片 外延晶圓

  
• 分子束外延（MBE）設(shè)備原理

  學(xué)員問：分子束外延（MBE）設(shè)備復(fù)雜嗎，有什么特點(diǎn)？為什么叫分子束呢？外延就是在單晶襯底上再生長(zhǎng)出一層單晶膜層。

  TOM聊芯片智造

  3833

  2024/04/11

  外延片
• 中國(guó)SiC外延片市場(chǎng)，繁榮與挑戰(zhàn)并存

  隨著電動(dòng)汽車和新能源需求的持續(xù)擴(kuò)大，碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢(shì)。對(duì)于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過去市場(chǎng)長(zhǎng)期由Resonac、Wolfspeed等國(guó)際大廠主導(dǎo)，中國(guó)廠商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來業(yè)務(wù)高速增長(zhǎng)期，近年來全球市場(chǎng)份額得以迅速上升。

  化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

  2128

  2024/03/22

  SiC 碳化硅

  
• 芯生代：GaN成本降低70%，加速開拓大功率市場(chǎng)

  回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？本期嘉賓是芯生代董事長(zhǎng)/首席科學(xué)家 鐘蓉?。鐘董在訪談中分享了很多干貨：● 芯生代擁有獨(dú)特的零缺陷薄膜制備技術(shù)，可顯著提高GaN外延層各層薄膜生長(zhǎng)的質(zhì)量?！?5?厚度的6英寸GaN-on-Si外延片，垂直擊穿電壓超過800V、器件的電流密度超過100mA/mm、漏電流控制到了10nA以下，成功實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代。

  行家說三代半

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  2024/02/07

  GaN 氮化鎵

  
• 晶湛半導(dǎo)體總部大樓封頂，聚焦氮化鎵外延片研發(fā)生產(chǎn)

  11月5日，蘇州晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項(xiàng)目舉行封頂儀式。

  與非網(wǎng)編輯

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  2022/11/09

  GaN 氮化鎵
• 宏光半導(dǎo)體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn)

  宏光半導(dǎo)體有限公司（「宏光半導(dǎo)體」，連同其附屬公司統(tǒng)稱「集團(tuán)」；股份代號(hào)：6908.HK）欣然宣布，集團(tuán)近期已開始生產(chǎn)其自家6英寸氮化鎵功率器件外延片。

  與非網(wǎng)編輯

  379

  2022/11/02

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) GaN
• 功率器件 | 日本團(tuán)隊(duì)合作開發(fā)出高品質(zhì)第三代100mm氧化鎵外延片

  由日本電子零部件企業(yè)田村制作所和AGC等出資成立的Novell Crystal Technology，與佐賀大學(xué)合作成功開發(fā)出第三代氧化鎵100mm外延片。這次研發(fā)屬于NEDO戰(zhàn)略節(jié)能技術(shù)創(chuàng)新計(jì)劃中, "β-Ga2O3肖特基勢(shì)壘二極管商業(yè)化開發(fā) "項(xiàng)目的一部分。

  CINNO Research

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  2022/03/29

  功率器件 氧化鎵
• 國(guó)際巨頭簽訂長(zhǎng)約，全球SiC爭(zhēng)奪戰(zhàn)持續(xù)

  近日，日本昭和電工宣布與半導(dǎo)體制造商羅姆簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)合同，根據(jù)協(xié)議，昭和電工將為制造碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的羅姆供應(yīng)SiC外延片。

  全球半導(dǎo)體觀察

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  2021/09/16

  SiC 羅姆
• 小創(chuàng)新亦有大作為？應(yīng)用材料公司推出全新Applied Centura Pronto EPI腔體有何實(shí)力

  Gartner今年年初發(fā)布預(yù)估報(bào)告指出，經(jīng)過2015、2016年的小低潮后，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將在2017年再度出現(xiàn)高達(dá)7.2%的成長(zhǎng)，總市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)到3,641億美元。隨著物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等市場(chǎng)的逐漸升溫，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來新的發(fā)展契機(jī)。

  張亞

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  2017/03/29

  慕尼黑電子展 應(yīng)用材料
• 外延片

  外延片，是一種在晶體生長(zhǎng)過程中，將新形成的晶體沉積在已有晶體表面上生長(zhǎng)而成的單晶薄片。外延片具有高純度、優(yōu)質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)和特定的材料特性，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光電子器件、激光器件等領(lǐng)域。

  eefocus_3901714

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  2024/04/11

  外延片
• 外延生長(zhǎng)的模式、技術(shù)與應(yīng)用知識(shí)分享

  在半導(dǎo)體和光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，材料生長(zhǎng)技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色。無論是用于電腦芯片的晶體管，還是高亮度發(fā)光二極管（LED），這些現(xiàn)代電子設(shè)備都依賴于半導(dǎo)體材料的制備。而外延生長(zhǎng)技術(shù)正是其中重要的一環(huán)，它幫助我們?cè)诰w襯底上精確地構(gòu)建新的材料層，提升了器件的性能和可靠性。

  老虎說芯

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  01/15 18:02

  外延片 外延晶圓
• 氮化鎵外延片工藝流程介紹

  氮化鎵外延片工藝是半導(dǎo)體微電子制造中關(guān)鍵的一環(huán)，用于在氮化鎵材料上沉積不同結(jié)構(gòu)和摻雜的多層薄膜，以實(shí)現(xiàn)高性能光電器件的制備。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵外延片的制備流程及關(guān)鍵步驟，從外延片的基礎(chǔ)知識(shí)到外延片工藝參數(shù)的選擇，帶您深入了解這一重要的半導(dǎo)體加工技術(shù)。

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  2024/12/06

  外延片
• 外延片與晶圓的區(qū)別

  外延片（Epitaxial Wafer）和晶圓（Wafer）是在半導(dǎo)體制造過程中兩個(gè)關(guān)鍵的材料，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、用途以及制備方法等方面存在著一些重要的區(qū)別。

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  2024/11/26

  晶圓 半導(dǎo)體制造
• 襯底和外延片的區(qū)別

  在半導(dǎo)體制造過程中，襯底（substrate）和外延片（epitaxial wafer）是兩個(gè)重要的概念。它們?cè)诓牧辖Y(jié)構(gòu)、制備方法以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將詳細(xì)探討襯底和外延片之間的區(qū)別。

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  1.9萬

  2024/08/13

  外延片 襯底

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