• Ampleon為5G NR和4G LTE宏基站應(yīng)用提供緊湊型多級

  埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）利用先進(jìn)的LDMOS晶體管技術(shù)，推出了B11G3338N80D推挽式3級全集成Doherty射頻晶體管——該晶體管是GEN11 Macro驅(qū)動器系列的載體產(chǎn)品，涵蓋所有6GHz以下頻段。

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  830

  2022/02/25

  驅(qū)動器 LDMOS晶體管
• Ampleon發(fā)布增強(qiáng)性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管

  埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出兩款新型寬帶碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。

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  230

  2022/02/23

  SiC 碳化硅
• 埃賦隆推出400W堅(jiān)固耐用的Doherty射頻功率晶體管，據(jù)此擴(kuò)展LDMOS基站和多載波產(chǎn)品線

  埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT 400W非對稱Doherty射頻功率晶體管。此Doherty晶體管專為在2.496GHz至2.690GHz頻率范圍內(nèi)工作的基站多載波應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

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  141

  2021/10/27

  pcb 射頻
• 埃賦隆半導(dǎo)體推出全新高功能通用寬帶LDMOS晶體管，以適應(yīng)廣播電視、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用

  埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）宣布推出兩款新的寬帶放大器系列——額定電壓為32V的BLP15M9Sxxx器件和額定電壓為50V的BLP15H9Sxxx器件， 從而進(jìn)一步加強(qiáng)其先進(jìn)而又高性價(jià)比的射頻功率放大器解決方案的產(chǎn)品組合。

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  112

  2021/07/07

  晶體管 LDMOS
• 可增強(qiáng)小基站和mMIMO驅(qū)動器系統(tǒng)的全集成型Doherty功率放大器

  埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）基于其先進(jìn)的LDMOS晶體管技術(shù)并利用高度集成，針對下一代小基站基礎(chǔ)設(shè)施和大規(guī)模MIMO實(shí)施提供了全面的射頻功率放大器器件組合。

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  112

  2021/07/01

  放大器 功率放大器

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