• 霍爾元件噪聲特性及其抑制技術(shù)

  霍爾元件噪聲特性及其抑制技術(shù)深度分析，在實際應(yīng)用中，需針對不同噪聲源采用相應(yīng)抑制策略。如優(yōu)化霍爾元件自身結(jié)構(gòu)，降低固有噪聲；同時改善外部電路設(shè)計，增強抗干擾能力，從多方面著手，全方位提升霍爾元件性能表現(xiàn)。 一、霍爾元件噪聲特性 霍爾元件是利用霍爾效應(yīng)制成的磁感應(yīng)元件，廣泛應(yīng)用于磁場測量、電流檢測、位置檢測等領(lǐng)域。然而，霍爾元件在工作過程中會產(chǎn)生噪聲，這些噪聲特性對元件的性能和應(yīng)用產(chǎn)生重要影響。 噪

  無錫迪仕科技

  929

  03/11 16:35

  霍爾元件 噪聲性能
• 如何為衛(wèi)星應(yīng)用選擇合適的LDO

  耐輻射低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 是許多航天級子系統(tǒng)（包括現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和模擬電路）的重要電源元件。LDO 有助于確保為性能取決于干凈輸入的元件提供穩(wěn)定的低噪聲和低紋波電源。

  與非網(wǎng)編輯

  261

  2022/03/09

  LDO PSRR

正在努力加載...