巨磁電阻（GMR）是一種利用材料微觀結(jié)構(gòu)及狀態(tài)變化所帶來的電阻變化現(xiàn)象實現(xiàn)傳感、存儲等應(yīng)用的技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于計算機硬盤、讀卡器、傳感器等領(lǐng)域。下面將分別介紹巨磁電阻的定義以及結(jié)構(gòu)組成。

1.什么是巨磁電阻

巨磁電阻是一種由美國物理學家阿爾弗雷德·費爾德在1988年發(fā)現(xiàn)的物理現(xiàn)象。它是指在兩個磁性層之間夾雜著一層非磁性金屬或者合金材料時，在外加磁場的作用下，磁性層的磁矩產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，導致層間自旋耦合形成不同的電阻狀態(tài)，從而實現(xiàn)電阻率的變化。

2.巨磁電阻結(jié)構(gòu)組成有何特點

巨磁電阻器件大致由四個部分組成：上磁性層、非磁性層、下磁性層和底部引線。其中，上下兩個磁性層將被外加磁場作用，產(chǎn)生不同的磁矩方向。非磁性層被夾在中間，決定了兩側(cè)磁性層磁矩的相對位置，從而控制整個器件的電阻率。底部引線則提供了電力連接。