大規(guī)模集成電路（Large Scale Integration Circuit，簡(jiǎn)稱LSI），指將數(shù)萬(wàn)個(gè)或數(shù)十萬(wàn)個(gè) 晶體管 集成在一個(gè)晶片中的電路。LSI是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要里程碑之一，隨著技術(shù)進(jìn)步，后續(xù)又有超大規(guī)模集成電路（VLSI）、超高密度互連、超深次微米加工等技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。

1.第一代大規(guī)模集成電路的特點(diǎn)

第一代大規(guī)模集成電路誕生于1960年代末至1970年代初期，以二進(jìn)制門電路為基本單元，每個(gè)芯片可容納幾百或幾千個(gè)晶體管，相比于早期的離散元件電路，可以實(shí)現(xiàn)更小、更輕與更穩(wěn)定的電路系統(tǒng)。然而，第一代大規(guī)模集成電路技術(shù)精度有限，并且可靠性不高，壽命短，僅能應(yīng)用于早期的微型計(jì)算機(jī)、數(shù)字鐘表和電子游戲等領(lǐng)域。

2.第二代大規(guī)模集成電路的特點(diǎn)

第二代大規(guī)模集成電路誕生于1970年代中期至80年代初期，采用貼片封裝技術(shù)，每個(gè)芯片可容納成千上萬(wàn)個(gè)晶體管。該代規(guī)模更大，功耗更低，速度更快，種類更多，且可靠性得到顯著提高，可以應(yīng)用于通信、控制、家用電器、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域。

3.第三代大規(guī)模集成電路的特點(diǎn)

第三代大規(guī)模集成電路誕生于1980年代中期至90年代初期，采用Submicron工藝制造，每個(gè)芯片可容納百萬(wàn)級(jí)晶體管。該代具有更高的集成度、更高的工作速度、更低的功耗以及更穩(wěn)定的性能。第三代大規(guī)模集成電路廣泛應(yīng)用于多媒體、網(wǎng)絡(luò)通信、移動(dòng)通訊、汽車電子、醫(yī)療等領(lǐng)域。