半導體存儲器（Semiconductor Memory）是一種電子計算機存儲器件，它通過半導體材料制成，可實現(xiàn)高速讀寫和無需傳統(tǒng)機械部件的特性。按照存儲原理、存儲介質(zhì)、存取方式等多個維度進行分類。

1.基于存儲原理分類

基于存儲原理，半導體存儲器可以分為靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）。

SRAM采用邏輯門電路來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，讀寫速度快，但集成密度低、功耗大。

DRAM采用電容器存儲電荷量表示0/1狀態(tài)，因此在讀寫數(shù)據(jù)時需要刷新操作，但集成密度高、成本低。

2.基于存儲介質(zhì)分類

基于存儲介質(zhì)，半導體存儲器可以分為RAM（Random Access Memory）和ROM（Read-Only Memory）。

RAM是一種易失性存儲器，讀寫速度快，但掉電即丟失數(shù)據(jù)。包括SRAM和DRAM兩類。

ROM是一種只讀存儲器，通常用于存儲固化的代碼或數(shù)據(jù)，如主板上的BIOS芯片、U盤等。其中EPROM可通過燒錄方式修改存儲內(nèi)容，但需要專門器件實現(xiàn)。

3.基于存取方式分類

基于存取方式，半導體存儲器可以分為串行訪問存儲器和并行訪問存儲器。

串行訪問存儲器適用于數(shù)據(jù)量小、帶寬要求較低的應(yīng)用場景，如I2C總線上的EEPROM。

并行訪問存儲器適用于數(shù)據(jù)量大，帶寬要求高的應(yīng)用場景，如處理器緩存。