PSRAM與SRAM是兩種常見的隨機存儲器，它們在物理結構、工作原理和應用場景等方面存在不同。

1.PSRAM和SRAM區(qū)別

PSRAM（Pseudo SRAM）是一種虛擬SRAM，采用了FLASH或DRAM的物理結構來模擬SRAM的接口。相比于SRAM，PSRAM具有容量大、價格低、可編程等優(yōu)點，在移動設備、數(shù)碼相機、音頻播放器等方面得到廣泛應用。

而SRAM（Static Random Access Memory）是一種靜態(tài)隨機存儲器，它采用邏輯門電路作為存儲單元，具有讀寫速度快、功耗低等特點，因此適合用于高性能計算機、網(wǎng)絡交換機等領域。

2.PSRAM內(nèi)存不足怎么辦

當設備中的PSRAM內(nèi)存不足時，可以嘗試以下幾種解決方案：

1. 優(yōu)化程序：盡量避免程序中出現(xiàn)大量占用內(nèi)存的操作，如圖像處理、大數(shù)據(jù)傳輸等。
2. 增加存儲：通過擴展SD卡、U盤等外置存儲設備的容量來補充內(nèi)存不足的問題。
3. 升級硬件：如果設備已經(jīng)到達極限，并且使用需求仍然很高的情況下，考慮升級硬件以提高RAM容量。