直流濺射是一種利用電極在真空或惰性氣體中將材料濺射到襯底上來形成薄膜的技術(shù)。與射頻濺射相比，直流濺射的能量很低，因此無法將材料濺射到不良導(dǎo)體如絕緣體表面。另外，直流濺射形成的薄膜的結(jié)構(gòu)比較致密，適合制備金屬和合金化合物薄膜。

1.直流濺射為什么不能濺射絕緣體

直流濺射使用的粒子能量較低，通常在100歐姆左右，只能生成非晶態(tài)薄膜，如果通過提高電壓或電流等手段使得粒子能量變高，會導(dǎo)致產(chǎn)生大量電子和陽離子，加速材料的氧化與降解，形成質(zhì)量差、結(jié)構(gòu)疏松的膜。

在隨后沉積表面物質(zhì)時，需要釋放一個電子或者產(chǎn)生一些被壁反彈的粒子電離下游的原子和離子，然而絕緣體會過度地吸收這些能量，導(dǎo)致不能產(chǎn)生所需的粒子電離，最終無法形成均勻致密的薄膜。

2.直流濺射和射頻濺射的區(qū)別

直流濺射和射頻濺射都可以用來制備薄膜，但是它們有著明顯的區(qū)別。射頻濺射使用的是高頻交流電源，在離子擊打靶材時提供了較高的能量，從而使得噴射到襯底表面的離子具有更高的動能，可以克服許多表面障礙，形成高質(zhì)量、高結(jié)晶性的薄膜。此外，射頻濺射的過程中也容易控制制備工藝參數(shù)，例如氣壓、離子能量分布等。