1、引言

一般情況下，IDE 工具都自帶了芯片內(nèi)部 flash 的燒寫算法。而實(shí)際項(xiàng)目中往往會(huì)有外擴(kuò) flash 的需求，在調(diào)試或下載程序時(shí)，燒寫外部 flash 則需要額外的 flashloader 程序支持。本文簡要介紹如何在 IAR 工具中制作 flashloader 來燒寫外部 flash 的原理及實(shí)現(xiàn)。

2、IAR flashloader 原理

IAR 燒寫芯片 flash 過程，是由 C-SPY 調(diào)試器與 flashloader 來完成。Flashloader 是IAR 為 C-SPY 調(diào)試器開發(fā)的一個(gè)可執(zhí)行程序，運(yùn)行在 RAM 中。在 IAR 調(diào)用調(diào)試器時(shí)需要先將 flashloader 下載到目標(biāo)芯片的 RAM 中，再將要下載的文件加載到 RAM 緩存中，由 C-SPY 通過指令啟動(dòng) flashloader 程序，然后 flashloader會(huì)讀取編程數(shù)據(jù)并寫入到目標(biāo)芯片中，完成目標(biāo)芯片的擦除和寫入。

3、下載算法制作

在 IAR 安裝目錄中，flashloader 工程要使用的框架文件在以下目錄：Embedded Workbench 9.1armsrcflashloaderframework2其中，flash_loader.c, flash_loader.h, flash_loader_asm.s, flash_loader_extra.h 這四個(gè)文件是供 C-SPY 調(diào)用的，不用去修改這些文件內(nèi)容。只用修改 template 文件夾內(nèi)的flash_loader_ram.c，實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的 FlashInit, FlashWrite, FlashErase 函數(shù)即可。

在實(shí)際中，也可以直接使用 Embedded Workbench 9.1armsrcflashloaderST 目錄下已有的例程，比如 FlashSTM32H7xx_QSPI 目錄就是 STM32H7 板上實(shí)現(xiàn) QSPIflashloader 的例程。

這里選用 STM32H743_Nucleo 板，外接 W25Q128 的 norflash 來測試。首先創(chuàng)建測試工程，實(shí)現(xiàn) norflash 程序的讀、寫、擦除等基本操作，驗(yàn)證通過后，封裝到xspi_norflash_api.c 文件中。

然后將 FlashSTM32H7xx_QSPI 目錄拷貝出來，替換并實(shí)現(xiàn) flash 初始化、擦除、寫的接口，最終生成.out 文件。

4、測試

在 CubeH7 例程中，選擇 ExamplesGPIOGPIO_EXTI 例程，并配置一些數(shù)據(jù)保存在外部 flash 中。若測試本文附件 GPIO_EXTI-Test-IAR-flashloader.7z，請將此文件解壓到 STM32Cube_FW_H7_V1.11.1ProjectsNUCLEO-H743ZIExamplesGPIO目錄進(jìn)行測試。編輯.board 及.flash 文件，將這些文件保存到 GPIO_EXTI 例程的 EWARM 目錄下，并配置 IAR 工程屬性，在 Debugger – Download 下，勾選 Use flash loader(s)與Override default .board file，配置 IAR 使用 STM32H743-Nucleo_QSPI.board 來進(jìn)行燒寫內(nèi)部與外部 flash，最后完成燒寫測試。

5、小結(jié)

本文通過實(shí)例介紹了基于 STH32H743 Nucleo 板有關(guān) IAR 外部 flashloader 的制作與使用方法。如果客戶需要用 IAR 燒寫外部 flash，可參考本文方法及例程。