KF8TS35XX 芯片使用注意事項(xiàng)

芯片的 ESD 防護(hù)措施

KF8TS35XX 芯片提供滿足工業(yè)級 ESD 標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)電路。建議用戶根據(jù)芯片存儲/應(yīng)用的環(huán)境采取適當(dāng)靜電防護(hù)措施。應(yīng)注意應(yīng)用環(huán)境的濕度；建議避免使用容易產(chǎn)生靜電的絕緣體；存放和運(yùn)輸應(yīng)在抗靜電容器、抗靜電屏蔽袋或?qū)щ姴牧先萜髦?；包括工作臺在內(nèi)的所有測試和測量工具必須保證接地；操作者應(yīng)該佩戴靜電消除手腕環(huán)手套，不能用手直接接觸芯片等。

芯片的EFT 防護(hù)措施

KF8TS35XX 芯片提供滿足工業(yè)級 EFT 標(biāo)準(zhǔn)的保護(hù)電路。當(dāng) MCU 芯片應(yīng)用在PCB系統(tǒng)時，需要遵守 PCB 相關(guān)設(shè)計(jì)要求，包括電源線、地線（包括數(shù)字/模擬電源分離，單點(diǎn)/多點(diǎn)接地等）、復(fù)位管腳保護(hù)電路、電源和地之間的去耦電容、高低頻電路單獨(dú)分別處理以及單/多層板選擇等。

芯片的 LATCH-UP 防護(hù)措施

為有效防護(hù)LATCH-UP損壞芯片，用戶需保證在VDD引腳上不出現(xiàn)異常高壓或者負(fù)壓。建議用戶在 VDD 和 VSS 之間并接兩個 105 和 102 大小的電容，電容盡量靠近芯片的VDD引腳。
芯片的焊接KF8TS35XX 芯片的焊接應(yīng)按照工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的焊接要求，以免損壞芯片。手工焊接時注意焊接的溫度和焊接時間。

芯片的上電/斷電

KF8TS35XX 芯片提供獨(dú)立電源管腳。當(dāng) KF8TS35XX 芯片應(yīng)用在多電源供電系統(tǒng)時，應(yīng)先對 MCU 芯片上電，再對系統(tǒng)其他部件上電；反之，斷電時，先對系統(tǒng)其他部件斷電，再對 MCU 芯片斷電。若操作順序相反則可能導(dǎo)致芯片內(nèi)部元件過壓或過流，從而導(dǎo)致芯片故障或元件退化。