MC68F333包含兩個閃存可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）模塊：一個16 K字節(jié)模塊和一個48 K字節(jié)模塊。 閃存EEPROM模塊用作非易失性、快速訪問的可擦寫和可編程ROM仿真內(nèi)存。這些模塊可以包含程序代碼（例如操作系統(tǒng)內(nèi)核和標(biāo)準(zhǔn)子程序），這些代碼必須以高速執(zhí)行或經(jīng)常執(zhí)行，或者包含頻繁讀取的靜態(tài)數(shù)據(jù)。閃存EEPROM支持字節(jié)和字讀取。它能夠響應(yīng)連續(xù)的IMB訪問，提供對齊長字的兩個總線周期（四個系統(tǒng)時鐘）訪問。它還可以編程插入最多三個等待狀態(tài)，以適應(yīng)從較慢的外部開發(fā)存儲器遷移到板載閃存EEPROM而無需重新定時系統(tǒng)的需要。 16 K字節(jié)閃存EEPROM陣列可以從任何16 K字節(jié)邊界開始，而48 K字節(jié)陣列可以從任何64 K字節(jié)邊界開始。這兩個陣列可以配置為單個連續(xù)內(nèi)存塊，其中16 K字節(jié)陣列緊接在48 K字節(jié)陣列之前或之后。它們可以分別配置為駐留在監(jiān)管者或無限制的地址空間中。它們也可以被編程為駐留在程序空間或數(shù)據(jù)空間。 在復(fù)位期間將數(shù)據(jù)總線引腳DATA15和DATA14拉低會禁用16 K字節(jié)和48 K字節(jié)閃存EEPROM模塊，并將它們置于停止模式。 閃存EEPROM及其控制位可通過軟件控制進行擦除和編程。編程/擦除電壓必須通過外部VFPE引腳提供。數(shù)據(jù)按字節(jié)或字對齊方式編程。不支持多字編程。閃存EEPROM模塊僅支持批量擦除，并具有最小的編程擦除壽命為100次循環(huán)。 閃存EEPROM模塊具有硬件互鎖，可防止意外使閃存EEPROM陣列的編程/擦除電壓啟用導(dǎo)致存儲數(shù)據(jù)損壞。通過硬件互鎖，無意編程或擦除的可能性極低。