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A2I20H080N 數(shù)據(jù)手冊 RF LDMOS寬帶集成功放器

2023/04/25
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A2I20H080N 數(shù)據(jù)手冊 RF LDMOS寬帶集成功放器

A2I20H080N寬帶集成電路是一種不對稱Doherty設計，具有片上匹配功能，可在1800至2200 MHz范圍內(nèi)使用。該多級結(jié)構(gòu)適用于26至32 V的操作，并覆蓋了所有常見的蜂窩基站調(diào)制格式。

特點包括：

  • 先進的高性能封裝式Doherty
  • 片上匹配（50歐姆輸入，直流阻塞）
  • 集成靜態(tài)電流溫度補償，帶使能/禁用功能（2個）
  • 為數(shù)字預畸變誤差校正系統(tǒng)設計

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
104M66QV39 1 Quantic Paktron RC Network, Bussed, 2W, 39ohm, 1600V, 0.1uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT
暫無數(shù)據(jù) 查看
B4B-PH-K-S(LF)(SN) 1 JST Manufacturing Board Connector, 4 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.16 查看
2N7002-7-F 1 Diodes Incorporated Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.16 查看
恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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