CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，“雖然根據(jù)市場情況變化可能有所變動，但目前8英寸SiC工藝量產(chǎn)投資計劃從2028年7月開始進(jìn)行。晶圓供應(yīng)正在考慮利用SK Siltron和SOITEC兩家公司。”

根據(jù)韓媒Thelec報道，11月22日下午，DB Hitek公司沈千萬（音譯）常務(wù)在韓國首爾舉行的“第五屆Power半導(dǎo)體-Power Korea論壇”上就化合物電力半導(dǎo)體業(yè)務(wù)戰(zhàn)略進(jìn)行了上述表態(tài)。

第五屆Power半導(dǎo)體-Power Korea論壇上進(jìn)行發(fā)表的DB Hitek常務(wù)沈千萬

化合物半導(dǎo)體是由兩種以上元素組成的半導(dǎo)體，以SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)等為代表，這些材料與傳統(tǒng)Si(硅)相比具有更高的功率效率和對耐高溫的優(yōu)勢。因此，包括電動汽車在內(nèi)汽車、通信、房產(chǎn)、航空航天等行業(yè)，需求呈上升趨勢。

目前，DB Hitek公司正計劃利用上虞園區(qū)內(nèi)的閑置工廠，建設(shè)基于8吋晶圓的SiC、GaN開發(fā)和生產(chǎn)系統(tǒng)。GaN領(lǐng)域從今年開始開發(fā)基于8英寸晶圓的工藝。據(jù)悉，目前已與RFHIC、Sigetronics、Aprosemicon等合作伙伴合作。

以SiC為例，8吋晶圓尚未達(dá)到商業(yè)化階段。因此，DB Hitek公司首先正在開發(fā)基于6吋晶圓的電力半導(dǎo)體，并將在此基礎(chǔ)上未來轉(zhuǎn)向8吋的工藝，完成開發(fā)的目標(biāo)時間定在2026年底。

實(shí)現(xiàn)8吋SiC量產(chǎn)的投資預(yù)計最早從2028年中旬開始進(jìn)行。沈千萬常務(wù)表示：“雖然根據(jù)市場情況變化可能會發(fā)生調(diào)整，但我們預(yù)計第一次量產(chǎn)投資是在2028年7月，第二次量產(chǎn)投資是2031年1月。比起汽車用逆變器，我們會先進(jìn)入OBC、充電站、太陽能等市場。”

8吋SiC晶圓供應(yīng)計劃采用SK Siltron和SOITEC。兩家企業(yè)都在進(jìn)行投資，以期在2025年至2026年左右量產(chǎn)8吋SiC晶圓。

沈千萬常務(wù)表示，“SiC晶圓供應(yīng)是相關(guān)業(yè)務(wù)的最大挑戰(zhàn)之一”，并稱“Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ等公司已經(jīng)與IDM企業(yè)簽訂長期供應(yīng)合同，正在與SK Slittron和SOITEC就晶圓供應(yīng)展開討論”。

另外，此次活動旨在介紹政府在新一代電力半導(dǎo)體材料方面的研發(fā)投入方向及技術(shù)動向。