描述

這一經(jīng)過驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)概述了如何實(shí)現(xiàn)基于 SiC 的三級(jí)三相直流/交流并網(wǎng)逆變器級(jí)。50kHz 的較高開關(guān)頻率降低了濾波器設(shè)計(jì)的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通過使用可降低開關(guān)損耗的 SiC MOSFET，可確保高達(dá) 1000V 的更高直流總線電壓和更低的開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn) 99% 的峰值效率。此設(shè)計(jì)可配置為兩級(jí)或三級(jí)逆變器。

特性

額定標(biāo)稱輸入電壓/最大輸入電壓：800V/1000VDC

在 400VAC 50/60Hz 并網(wǎng)連接時(shí)的最大輸出功率為 10kW/10KVA

工作功率因數(shù)范圍為 0.7 滯后至 0.7 超前

基于高壓 (1200V) SiCMosFET 的全橋逆變器，峰值效率高達(dá) 99%

滿載時(shí)的輸出電流 THD 小于 2%

使用 AMC1301 進(jìn)行隔離式電流檢測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)負(fù)載電流監(jiān)測(cè)

用于驅(qū)動(dòng)高壓 SiC MOSFET 并具有增強(qiáng)型隔離功能的隔離式驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S，以及用于驅(qū)動(dòng)中間 Si IGBT 的 UCC5320S