硬件型號(hào)：STF18NM60N

系統(tǒng)版本：芯片系統(tǒng)

1nm芯片并不能說是芯片技術(shù)的極限。在未來，制造芯片的材料可能會(huì)更多樣化。目前，大多數(shù)芯片都是基于硅的，硅基芯片的精度只能達(dá)到1nm。

1nm是摩爾極限，也就是說，硅基芯片的極限精度理論上只能達(dá)到1nm，但由于自然環(huán)境的限制，其實(shí)際精度永遠(yuǎn)不可能達(dá)到1nm。制程越小，功耗越小，在實(shí)現(xiàn)相同功能的情況下，發(fā)熱小，電池可使用的時(shí)間更長(zhǎng)。這就是芯片制程越來越小的主要原因。

臺(tái)積電已經(jīng)研發(fā)出了3nm芯片制造，本以為自己已經(jīng)獨(dú)占鰲頭，卻讓人沒有想到的是，近日英特爾突然宣布它們已經(jīng)突破了芯片的摩爾極限，并且已經(jīng)研發(fā)出三套方案，1nm不再是芯片精度的盡頭。

發(fā)展：

芯片上有無(wú)數(shù)個(gè)晶體管，他們是芯片的核心，也就說，目前的技術(shù)是要把晶體管做的越來越小，這樣，芯片上能容納的晶體管就很多，芯片的性能就隨之增加。

而目前最小的是1 nm柵極長(zhǎng)度的二硫化鉬晶體管。而且，并不是到1nm才會(huì)發(fā)生擊穿效應(yīng)，而是進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)后，這個(gè)現(xiàn)象就越來越明顯了，電子從一個(gè)晶體管跑向另一個(gè)晶體管而不受控制，晶體管就喪失了原來的作用。

硅和二硫化鉬（MoS2）都有晶體結(jié)構(gòu)，但是，二硫化鉬對(duì)于控制電子的能力要強(qiáng)于硅，眾所周知，晶體管由源極，漏極和柵極，柵極負(fù)責(zé)電子的流向，它是起開關(guān)作用，在1nm的時(shí)候，柵極已經(jīng)很難發(fā)揮其作用了，而通過二硫化鉬，則會(huì)解決這個(gè)問題，而且，二硫化鉬的介電常數(shù)非常低，可以將柵極壓縮到1nm完全沒有問題。

1nm是人類半導(dǎo)體發(fā)展的重要節(jié)點(diǎn)，可以說，能不能突破1nm的魔咒，關(guān)乎計(jì)算機(jī)的發(fā)展，雖然二硫化鉬的應(yīng)用價(jià)值非常大，但是，目前還在早期階段，而且，如何批量生產(chǎn)1nm的晶體管還沒有解決，但是，這并不妨礙二硫化鉬在未來集成電路的前景。