近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布該公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM存儲器（鐵電存取存儲器）開始批量供貨。該系列儲存器是業(yè)界功率密度最高的串行F-RAM存儲器，能夠滿足新一代汽車和工業(yè)系統(tǒng)對非易失性數(shù)據(jù)記錄的需求，防止在惡劣的工作環(huán)境中丟失數(shù)據(jù)。新存儲器的工作電壓范圍為1.71 V至3.6 V，借助低引腳數(shù)接口，該器件可支持高達(dá)54MBps的數(shù)據(jù)吞吐量，并且采用了符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的24-ball FBGA封裝。

英飛凌科技汽車電子事業(yè)部RAM產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人Ramesh Chettuvetty表示：“隨著自動化程度的提高和物聯(lián)網(wǎng)傳感器市場的快速增長，市場對存儲器提出了更高要求，希望存儲器擁有更高的密度,在斷電情況下也能準(zhǔn)確、即時地進(jìn)行數(shù)據(jù)采集，以滿足數(shù)據(jù)記錄要求。英飛凌全新的EXCELON F-RAM產(chǎn)品能夠在保持超低功耗的同時，高效、準(zhǔn)確地進(jìn)行關(guān)鍵的數(shù)據(jù)采集工作。因此，該產(chǎn)品是工廠自動化解決方案和汽車EDR（事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)）的理想選擇。”

英飛凌的EXCELON F-RAM是新一代鐵電存取存儲器。新產(chǎn)品具有超低功耗模式與高速接口，以及即時非易失性和無限次數(shù)的讀/寫周期，并以此成為業(yè)界功耗極低的任務(wù)關(guān)鍵型非易失性存儲器。串行存儲器的讀寫性能與采用并行接口、電池供電的靜態(tài)存儲器旗鼓相當(dāng)，存取時間為35納秒。憑借快速的寫入速度、出眾的耐用性和行業(yè)領(lǐng)先的能效水平，EXCELON F-RAM成為汽車、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用等領(lǐng)域的首選數(shù)據(jù)記錄存儲器。

關(guān)于英飛凌F-RAM存儲器

英飛凌提供一系列種類豐富的串行與并行F-RAM產(chǎn)品組合，存儲密度從4 Kbit至16 Mbit不等、工作電壓范圍從1.8 V到5.5 V。該產(chǎn)品系列具有100萬億次讀寫周期，是數(shù)據(jù)寫入密集型應(yīng)用的理想解決方案。英飛凌F-RAM存儲器適用于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存儲器解決方案的應(yīng)用，如汽車、工業(yè)、計算、網(wǎng)絡(luò)、智能儀表、多功能打印機等。如需了解更多有關(guān)英飛凌F-RAM產(chǎn)品系列的信息，請訪問http://www.infineon.com/FRAM。

供貨情況

采用24-ball FBGA封裝、最高工作溫度為105°C的全新工業(yè)級8 Mbit 和16 Mbit EXCELON F-RAM存儲器現(xiàn)已開始供貨。采用24-ball FBGA封裝、獲得AEC-Q100三級認(rèn)證的車規(guī)級16 Mbit器件也已開放訂購。