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工控領(lǐng)域首次商用 ReRAM產(chǎn)業(yè)化進程加速

2022/06/13
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日前,新型存儲領(lǐng)先企業(yè)昕原半導體宣布其基于ReRAM的“昕·山文”安全存儲系列產(chǎn)品已實現(xiàn)在工業(yè)自動化控制核心部件的商用,標志著ReRAM新型存儲技術(shù)在28nm工藝節(jié)點上通過了嚴苛的測試,已被工控領(lǐng)域接受,我國ReRAM新型存儲產(chǎn)業(yè)化再進一步。

ReRAM是近年來市場上最受期待的新型存儲技術(shù),包括臺積電,英特爾、三星、UMC、Crossbar、Adesto、富士通等國際廠商均已對該技術(shù)進行重點布局。此次昕原半導體“昕·山文”系列產(chǎn)品工控領(lǐng)域成功商用,也標志著我國ReRAM新型存儲產(chǎn)業(yè)化進程躋身全球領(lǐng)先行列。

據(jù)了解,此次昕原半導體推出的“昕·山文”系列安全存儲芯片產(chǎn)品集成有高可靠性、安全存儲、密碼算法引擎以及ReRAM PUF(Physical Unclonable Function-物理不可克隆函數(shù))的安全特性,并提供豐富的接口和使用模式。

PUF是信息安全行業(yè)前沿的硬件安全技術(shù),主要利用芯片生產(chǎn)制造過程中產(chǎn)生的隨機差異來生成唯一的、具備隱藏特性且不可克隆的數(shù)字序列,就如同芯片出生時即具備了唯一 ‘指紋’身份信息,作為每顆芯片獨一無二的唯一主動標識(ID)和根密鑰(Root Key) 。

“昕·山文”系列安全存儲芯片,充分利用了昕原ReRAM PUF的獨特技術(shù),不但實現(xiàn)了抗物理攻擊的強安全特性、有效防御黑客通過物聯(lián)網(wǎng)等互聯(lián)手段對關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施造成大面積傷害的潛在風險,還有效降低諸如密鑰注入等相關(guān)的安全供應(yīng)鏈管理的成本。結(jié)合硬件實現(xiàn)的抗物理攻擊密碼算法,為工業(yè)、新能源車聯(lián)網(wǎng)等“萬物智聯(lián)”的高價值設(shè)備,有效實現(xiàn)強身份認證、版權(quán)保護和高價值數(shù)據(jù)資產(chǎn)的安全存儲。

昕原研發(fā)團隊持續(xù)推進芯片測試調(diào)優(yōu)工作

“昕·山文”系列安全存儲芯片采用小尺寸封裝,集成了國際通用密碼算法和國密算法,支持SPI通用芯片接口和/或單線通訊接口,并提供豐富的IO擴展能力。

浙江禾川科技股份有限公司(禾川科技)副總裁鄢鵬飛表示,工業(yè)自動化產(chǎn)品對于程序及數(shù)據(jù)存儲的可靠性和安全性要求非??量?昕原半導體的“昕·山文”系列芯片在滿足信息安全要求的同時實現(xiàn)了對核心數(shù)據(jù)的可靠存儲,不同于傳統(tǒng)的密碼算法類芯片,其獨具特色的ReRAM PUF技術(shù)及安全解決方案有效實現(xiàn)了對核心知識產(chǎn)權(quán)的保護、以及對工控核心部件的精確識別與管控。

據(jù)昕原半導體CTO仇圣棻博士介紹,昕原基于28nm工藝的ReRAM產(chǎn)品的良率已經(jīng)超過了93%;“昕·山文”系列安全存儲芯片,采用高可靠性設(shè)計,已通過JESD22(JEDEC:固態(tài)電子器件可靠性評估驗證)、JESD47(JEDEC:集成電路的壓力測試驗證)等可靠性標準的驗證,具有較強的防靜電能力(實測HBM=5500V,CDM=500V)、較高的數(shù)據(jù)保持性(DataRetention>10年)和數(shù)據(jù)存儲耐高溫性(可達150℃)。

昕原半導體技術(shù)團隊對中試線進行設(shè)備調(diào)試

今年初,由昕原半導體主導建設(shè)的大陸首條28/22nm ReRAM(阻變存儲器)12寸中試后道生產(chǎn)線順利完成了自主研發(fā)設(shè)備的裝機驗收工作,實現(xiàn)了中試線工藝流程的通線。在此基礎(chǔ)上,實現(xiàn)ReRAM技術(shù)和工藝持續(xù)突破的同時,也使得 ReRAM 相關(guān)產(chǎn)品的快速實現(xiàn)變成了可能。

隨著昕原半導體28nm制程ReRAM產(chǎn)品進入工控領(lǐng)域,不僅驗證了ReRAM技術(shù)在2Xnm工藝節(jié)點上產(chǎn)品級的性能和良率,更體現(xiàn)了ReRAM技術(shù)的可靠性、安全性和穩(wěn)定性,為后續(xù)在存內(nèi)計算、存內(nèi)搜索、智能汽車、數(shù)據(jù)中心等更多領(lǐng)域的應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。而隨著ReRAM產(chǎn)業(yè)化進程的加快,也將極大帶動我國新型存儲行業(yè)發(fā)展,為我國存儲器產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“彎道超車”提供了可能。
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