《21世紀經(jīng)濟報道》主辦的“2021中國智造業(yè)年會”會上，揭曉了“2021中國智造「金長城」獎”的評選結(jié)果。派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司（以下簡稱派恩杰半導(dǎo)體）憑借全球領(lǐng)先的SiC功率器件技術(shù)喜獲“「金長城」獎-年度最具成長性企業(yè)”殊榮。

派恩杰喜獲”「金長城」獎-年度最具成長性企業(yè) “

正如派恩杰半導(dǎo)體總裁黃興先生在本屆中國制造業(yè)年會-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的顛覆式創(chuàng)新圓桌討論所分享的那樣，中國在以硅（Si）為代表的第一代半導(dǎo)體材料，與國際企業(yè)的差距最大，到砷化鎵（GaAs）代表的第二代半導(dǎo)體材料已經(jīng)有突破的跡象，而在以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料方面則有追趕和超車的良機。派恩杰半導(dǎo)體剛好趕上了這一時機，潛心研發(fā)，開發(fā)出了可以與國際企業(yè)一爭高下的高性能SiC功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品將應(yīng)用于服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心電源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電機、逆變器等領(lǐng)域，目前已有一些全球一線客戶導(dǎo)入使用。派恩杰半導(dǎo)體表示，將會持續(xù)投入和加強自主研發(fā)能力，不斷帶給客戶先進SiC技術(shù)和方案，幫助客戶創(chuàng)新產(chǎn)品、改善產(chǎn)品、提升產(chǎn)品。